[實用新型]一種均勻導氣的管式爐

有效

• 申請號: 202223287352.9
• 申請日: 2022-12-08
• 公開（公告）號: CN219117549U
• 公開（公告）日: 2023-06-02
• 發明（設計）人: 袁叢輝;羅雨;戴李宗;羅偉昂;許一婷
• 申請（專利權）人: 廈門大學
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455
• 代理公司: 廈門市首創君合專利事務所有限公司 35204
• 代理人: 張松亭

本實用新型涉及化學氣相沉積(CVD)管式爐技術領域，特別涉及一種均勻導氣的管式爐，其包括：爐體；石英管，其穿設于爐體內，且其兩端部自爐體向外伸出，兩端部包括第一端部和第二端部；二法蘭，其分別設于石英管的第一端部和第二端部上；導氣裝置，位于石英管的第一端部上，其包括穿設在第一端部的法蘭上的進氣管、以及設于石英管內與進氣管連通的導氣結構；導氣結構包括進氣主管道、與進氣主管道連通的導氣主管道、與進氣主管道連通并與導氣主管道呈環形平行設置的若干導氣支管道、以及順次銜接各導氣支管道的環形加固件；出氣管，其穿設在第二端部的法蘭上。采用本實用新型提供的均勻導氣的管式爐，其爐內的氣流平穩且氣體擴散均勻。

技術領域

本實用新型涉及化學氣相沉積(CVD)管式爐技術領域，特別涉及一種均勻導氣的管式爐。

背景技術

化學氣相沉積(CVD)是指化學氣體在基質表面反應形成薄膜或納米材料的一種化工技術，是半導體領域中制備薄膜材料應用最為廣泛的技術之一。該技術主要是利用一種或幾種氣相化合物或單質，在基質表面上進行化學反應生成薄膜或納米材料。

申請人發現在使用管式爐進行CVD法制備二維材料時，氣流擴散不均勻，導致化學氣體結合不均勻，導致材料制備可重復性差；且當樣品為輕質粉末時，不穩定的氣流容易將粉末吹飛，導致污染其他原材料、藥品浪費、污染石英管、堵塞出氣口等。因此，氣流平穩和氣體擴散均勻是管式爐CVD法制備二維材料技術領域亟須解決的問題。

實用新型內容

本實用新型的目的在于克服上述現有技術中的不足，提供一種均勻導氣的管式爐。

為了解決上述技術問題，本實用新型提供一種均勻導氣的管式爐，包括：

一爐體；

一石英管，其穿設于該爐體內，且其兩端部自該爐體向外伸出，該兩端部包括第一端部和第二端部；

二法蘭，其分別設于該石英管的第一端部和第二端部上；

一導氣裝置，位于該石英管的第一端部上，其包括穿設在該第一端部的法蘭上的一進氣管、以及設于該石英管內與該進氣管連通的一導氣結構；

該導氣結構包括一進氣主管道、與該進氣主管道連通的一導氣主管道、與該進氣主管道連通并與該導氣主管道呈環形平行設置的若干導氣支管道、以及一順次銜接各導氣支管道的環形加固件；

一出氣管，其穿設在第二端部的法蘭上。

在一更佳的實施例中，所述進氣主管道的管徑大于所述導氣主管道的管徑。

在一更佳的實施例中，所述進氣主管道的管徑與所述導氣主管道的管徑比為(9-10):(4-5)。

在一更佳的實施例中，所述導氣結構的最外側表面到所述石英管內壁的距離為9-10mm。

在一更佳的實施例中，所述石英管的管徑為59-61mm，所述進氣主管道的管徑為11-12mm，所述進氣管的管徑為13-14mm，所述出氣管的管徑為13-14mm。

在一更佳的實施例中，所述進氣主管道與所述導氣支管道的通過一弧形管道連通。

在一更佳的實施例中，所述弧形管道的弧度為π/2-19π/36。

在一更佳的實施例中，所述導氣結構包括4個導氣支管道，沿所述進氣主管道管徑的軸線方向觀之，所述4個導氣支管道分別位于導氣主管道的正上方、正下方、正左方、以及正右方。

在一更佳的實施例中，任一所述導氣支管道與所述進氣主管道的間距相等。

在一更佳的實施例中，所述進氣管上設置有一氣壓表。

綜上所述，本申請包括以下至少一種有益技術效果：管式爐中的氣流平穩且氣體擴散均勻。