[實用新型]IGBT器件封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202223247035.4
• 申請日: 2022-12-05
• 公開（公告）號: CN218677152U
• 公開（公告）日: 2023-03-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 程煒濤;姚陽
• 申請（專利權(quán)）人: 上海埃積半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H01L25/18
• 分類號: H01L25/18
• 代理公司: 上海碩力知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31251
• 代理人: 童素珠

1.一種IGBT器件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

焊接底板、IGBT芯片、FRD芯片；

所述FRD芯片的陽極端通過導(dǎo)電膠與所述IGBT芯片的發(fā)射極端粘貼連接形成所述IGBT芯片和所述FRD芯片的縱向疊封結(jié)構(gòu)，所述FRD芯片的陰極端與所述焊接底板通過打線連接；

所述IGBT芯片的集電極端與所述焊接底板連接，所述焊接底板與集電極引出端連接，所述IGBT芯片的發(fā)射極端通過打線與發(fā)射極引出端連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IGBT器件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述FRD芯片的面積小于所述IGBT芯片的發(fā)射極的面積。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IGBT器件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述IGBT芯片的發(fā)射極面積包括用于打線外接發(fā)射極引出端的面積。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IGBT器件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述FRD芯片的陰極端朝上，通過打Al線或者Al帶與所述焊接底板連接，通過與所述焊接底板連接的集電極引出端外接集電極電位。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IGBT器件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：當(dāng)所述焊接底板面積不變時，所述IGBT器件封裝結(jié)構(gòu)包括多個所述FRD芯片和所述IGBT芯片的組合結(jié)構(gòu)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IGBT器件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述IGBT器件封裝結(jié)構(gòu)中所述FRD芯片和所述IGBT芯片的組合結(jié)構(gòu)的數(shù)量不變時，所述焊接底板包括可調(diào)節(jié)面積的焊接底板。