[實用新型]一種雙固定部吸嘴安裝治具有效
| 申請號: | 202223220676.0 | 申請日: | 2022-12-02 |
| 公開(公告)號: | CN218647908U | 公開(公告)日: | 2023-03-17 |
| 發明(設計)人: | 黃金良;劉磊;袁強;王鑫 | 申請(專利權)人: | 江蘇匯成光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/677 |
| 代理公司: | 南京蘇科專利代理有限責任公司 32102 | 代理人: | 王峰 |
| 地址: | 225128 江蘇省揚州市*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 固定 部吸嘴 安裝 | ||
本實用新型公開了半導體芯片封裝技術領域內的一種雙固定部吸嘴安裝治具,包括:夾持部,所述夾持部內開設有豎直真空通道;基座,所述基座內設置有均流腔,所述均流腔上側與所述真空通道連通;兩個固定部,間隔對稱設置在所述基座下側,所述固定部內部均設置有通孔,所述通孔與所述均流腔下側連通,兩個所述固定部的外壁均套設有吸嘴。本實用新型能夠降低吸晶置晶不良率,減少機臺修機次數,提高人員工作效率。
技術領域
本實用新型屬于半導體芯片封裝技術領域,特別涉及一種雙固定部吸嘴安裝治具。
背景技術
現有技術中,晶圓是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓。在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結構,而成為有特定電性功能之IC產品。晶圓切割后會形成多個IC晶粒,通過黏晶程序,每個晶粒 (或稱芯片)相互之間為完全分離狀態,且分別獨立黏著于具有黏性的膠膜上,再利用真空吸嘴吸取晶粒,將晶粒置放于載晶盒上。其不足之處在于:目前的吸嘴安裝治具為單個固定部只能安裝1個吸嘴,吸嘴只可吸附晶粒中間區域表面Bump,晶粒受力位置單一,在晶粒的拾取和放置過程中較容易發生水平方向不穩且受力不均,導致吸晶置晶不良率較高,增加機臺修機次數,增加人員等待時間,工作效率較低。
實用新型內容
本實用新型的目的是提供一種雙固定部吸嘴安裝治具,可加裝兩個吸嘴實現晶粒在拾取與放置的過程中,保持較好水平方向穩定且受力均衡,降低吸晶置晶不良率,減少人員等待時間。
本實用新型的目的是這樣實現的:一種雙固定部吸嘴安裝治具,其特征在于,包括:夾持部,所述夾持部內開設有豎直真空通道;基座,所述基座內設置有均流腔,所述均流腔上側與所述真空通道連通;兩個固定部,間隔設置在所述基座下側,所述固定部內部均設置有通孔,所述通孔與所述均流腔下側連通,兩個所述固定部的外壁均套設有吸嘴。
本實用新型使用時,根據晶粒尺寸選擇對應治具,將兩個吸嘴分別安裝在治具的兩個固定部上,吸嘴沿晶粒長邊方向分布,兩個吸嘴吸附晶粒受力位置對稱,晶粒的拾取和放置過程中,在水平方向能較好保持穩定且受力均衡,與現有技術相比,本實用新型的有益效果在于:兩個吸嘴吸晶置晶效果受晶粒的拾取和放置單步動作速率影響較小,能夠增加機臺作業UPH(每小時的產出),最終提升產能。
作為本實用新型的進一步改進,所述夾持部為圓柱狀結構,所述固定部為正方體結構,兩個所述固定部之間的距離為D。
作為本實用新型的進一步改進,所述D為5mm。適用于長邊尺寸大于14mm并小于等于27mm的晶粒。
作為本實用新型的進一步改進,所述D為10mm。適用于長邊尺寸大于27mm的晶粒。
作為本實用新型的進一步改進,所述吸嘴包括安裝部,所述安裝部內開設有與所述固定部適配的安裝槽,所述安裝部下側一體連接有吸取部,所述吸取部內對應所述通孔開設有通氣孔,所述吸取部下側開設有避讓槽,所述避讓槽與所述通氣孔連通。
作為本實用新型的進一步改進,所述治具安裝在擺臂的一端,所述擺臂的另一端可轉動地套設在轉軸上,對應所述吸嘴下方設置有晶圓,所述晶圓粘貼上藍膜上,所述藍膜下方設置有頂針機構,以轉軸為中心與所述晶圓對稱的另一側設置有載晶盒,所述載晶盒上等間隔布滿若干晶穴,所述晶穴的尺寸與晶粒適配。
附圖說明
圖1為本實用新型在使用時的俯視圖。
圖2為吸嘴在執行拾取動作時的結構示意圖。
圖3為本實用新型的立體結構示意圖。
圖4為本實用新型的剖面圖。
圖5為吸嘴的剖面圖。
圖6為吸嘴的仰視圖。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于江蘇匯成光電有限公司,未經江蘇匯成光電有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202223220676.0/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種綜合物聯智能驅鳥設備
- 下一篇:一種播種作業裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





