[實用新型]一種晶圓干燥裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202223196337.3 | 申請日: | 2022-12-01 |
| 公開(公告)號: | CN218215227U | 公開(公告)日: | 2023-01-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王凱杰;李長坤;周婉睛;路新春;趙德文 | 申請(專利權(quán))人: | 華海清科股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 300350 天*** | 國省代碼: | 天津;12 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 干燥 裝置 | ||
1.一種晶圓干燥裝置,其特征在于,包括:
殼體;
噴淋組件,設(shè)置于所述殼體,用于噴淋下移的晶圓;
干燥組件,水平鄰接于所述噴淋組件,其朝向上移的晶圓噴射液體,并且朝向三相交界處噴射干燥氣體,以誘導(dǎo)馬蘭戈尼效應(yīng);
支撐組件,安裝于所述殼體,用于支撐晶圓并在第一定向與第二定向之間擺動以接收沿第一定向進入殼體的晶圓;
提升組件,用于將擺動至第二定向的晶圓移出殼體;
所述干燥組件包括第一構(gòu)件、第二構(gòu)件和間隔件,所述間隔件設(shè)置于第一構(gòu)件與第二構(gòu)件之間;所述第一構(gòu)件與間隔件之間的下端部形成噴射液體的噴液口,所述第二構(gòu)件與間隔件之間的下端部形成噴射干燥氣體的噴氣口,以朝向晶圓表面噴射流體。
2.如權(quán)利要求1所述的晶圓干燥裝置,其特征在于,所述干燥組件傾斜設(shè)置于晶圓的側(cè)邊,并且,其長度方向沿晶圓的半徑方向延伸。
3.如權(quán)利要求1所述的晶圓干燥裝置,其特征在于,所述噴液口和噴氣口沿干燥組件的長度方向延伸設(shè)置,噴液口和噴氣口的長度大于晶圓的直徑。
4.如權(quán)利要求1所述的晶圓干燥裝置,其特征在于,所述噴液口和噴氣口朝向晶圓表面傾斜設(shè)置,所述噴液口與晶圓表面的夾角為第一夾角,所述噴氣口與晶圓表面的夾角為第二夾角,所述第一夾角小于所述第二夾角。
5.如權(quán)利要求4所述的晶圓干燥裝置,其特征在于,所述第一夾角與第二夾角的差值為5-15°。
6.如權(quán)利要求1所述的晶圓干燥裝置,其特征在于,所述噴液口和噴氣口為長條孔,所述噴液口的寬度小于所述噴氣口的寬度。
7.如權(quán)利要求1所述的晶圓干燥裝置,其特征在于,所述第一構(gòu)件的側(cè)部配置有第一凹槽,所述第一凹槽與間隔件形成第一腔室,液體經(jīng)由第一腔室和噴液口噴射至晶圓表面;所述第二構(gòu)件的側(cè)部配置有第二凹槽,所述第二凹槽與間隔件形成第二腔室,干燥氣體經(jīng)由第二腔室和噴氣口噴射至晶圓表面。
8.如權(quán)利要求1所述的晶圓干燥裝置,其特征在于,所述間隔件與第一構(gòu)件和/或第二構(gòu)件之間配置有調(diào)節(jié)件,以調(diào)節(jié)噴液口和/或噴氣口的寬度。
9.如權(quán)利要求1所述的晶圓干燥裝置,其特征在于,所述間隔件的下端部與所述干燥組件的下端面平齊;或者,所述間隔件延伸設(shè)置于所述干燥組件下端面的外側(cè)。
10.如權(quán)利要求1所述的晶圓干燥裝置,其特征在于,所述干燥組件轉(zhuǎn)動設(shè)置于晶圓的側(cè)邊,其能夠繞連接點轉(zhuǎn)動以調(diào)節(jié)噴射流體相對于晶圓表面的夾角。
11.如權(quán)利要求1所述的晶圓干燥裝置,其特征在于,所述支撐組件包括晶圓托架,所述晶圓托架位于殼體中;所述晶圓托架的豎向位置高于晶圓干燥過程中所述殼體盛接的液體的液面。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于華海清科股份有限公司,未經(jīng)華海清科股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202223196337.3/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





