[實用新型]碳化硅長晶熱場

有效

• 申請號: 202223179443.0
• 申請日: 2022-11-29
• 公開（公告）號: CN218969428U
• 公開（公告）日: 2023-05-05
• 發明（設計）人: 燕靖;包偉剛
• 申請（專利權）人: 江蘇集芯半導體硅材料研究院有限公司
• 主分類號: C30B23/00
• 分類號: C30B23/00;C30B29/36
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種碳化硅長晶熱場，其特征在于，包括：

坩堝，所述坩堝呈圓柱狀，所述坩堝包括坩堝本體和坩堝蓋，所述坩堝蓋粘貼有籽晶，所述坩堝本體的底部設有碳化硅粉；

頂部石墨氈，所述頂部石墨氈設于所述坩堝的頂部，所述頂部石墨氈的中心軸線與所述籽晶的中心軸線在同一條直線上，所述頂部石墨氈包括從下到上依次排布的多個第一環氈，每個所述第一環氈的外徑與所述坩堝的外徑相同，在從下到上的方向上，多個所述第一環氈的內徑逐漸減小。

2.根據權利要求1所述的碳化硅長晶熱場，其特征在于，所述第一環氈為三個，位于最下方的所述第一環氈的內徑與所述籽晶的直徑之差在0.5mm以內，位于中部的所述第一環氈的內徑為所述籽晶的直徑的0.6倍-0.7倍，位于最上方的所述第一環氈的內徑為所述籽晶的直徑的0.35倍-0.45倍。

3.根據權利要求1所述的碳化硅長晶熱場，其特征在于，還包括：

中部石墨氈，所述中部石墨氈外套于所述坩堝的外周壁，在由下到上的方向上，所述中部石墨氈的外徑逐漸減小。

4.根據權利要求3所述的碳化硅長晶熱場，其特征在于，所述中部石墨氈包括四個氈體且從下到上依次為第一氈體、第二氈體、第三氈體和第四氈體，在由下到上的方向上，所述第一氈體、所述第二氈體、所述第三氈體和所述第四氈體的外徑依次減小。

5.根據權利要求4所述的碳化硅長晶熱場，其特征在于，所述第四氈體的頂部與所述坩堝蓋的頂部平齊，所述第四氈體的底部與所述籽晶的底部平齊。

6.根據權利要求5所述的碳化硅長晶熱場，其特征在于，所述第三氈體的頂部與所述籽晶的底部平齊，所述第三氈體的底部與所述坩堝蓋的底部平齊，所述第二氈體的頂部與所述坩堝蓋的底部平齊，所述第二氈體的底部與所述碳化硅粉的頂部平齊，所述第一氈體的頂部與所述碳化硅粉的頂部平齊，所述第一氈體的底部與所述坩堝本體的底部平齊。

7.根據權利要求4所述的碳化硅長晶熱場，其特征在于，所述第一氈體的外徑為730mm-770mm，所述第二氈體的外徑為530mm-570mm，所述第三氈體的外徑為400mm-440mm，所述第四氈體的外徑為330mm-370mm。

8.根據權利要求3所述的碳化硅長晶熱場，其特征在于，還包括：

底部石墨氈，所述底部石墨氈設于所述坩堝和所述中部石墨氈的底部，所述底部石墨氈包括多個在上下方向上依次排布的圓形氈，每個圓形氈的直徑與所述中部石墨氈的底面的外徑相等。

9.根據權利要求8所述的碳化硅長晶熱場，其特征在于，所述頂部石墨氈、所述中部石墨氈和所述底部石墨氈均由硬氈制得。