[實用新型]一種金剛石單晶培養(yǎng)皿有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202223096656.7 | 申請日： | 2022-11-22 |
| 公開（公告）號： | CN218932385U | 公開（公告）日： | 2023-04-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 柳時飛;姚其容;吳鎮(zhèn)宇 | 申請（專利權(quán)）人： | 無錫齊勇半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | C30B29/04 | 分類號： | C30B29/04;C30B1/12 |
| 代理公司： | 寧波海曙甬睿專利代理事務(wù)所(普通合伙) 33330 | 代理人： | 王傳金 |
| 地址： | 214000 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 金剛石 培養(yǎng)皿 | ||
1.一種金剛石單晶培養(yǎng)皿，其特征在于：包括培養(yǎng)皿(1)、底座(2)、控溫組件(3)和連接套筒(4)，所述培養(yǎng)皿(1)包括底托(11)和環(huán)形側(cè)壁(12)，所述底座(2)設(shè)置為中空，所述培養(yǎng)皿(1)的底托(11)設(shè)置在所述底座(2)上，所述控溫組件(3)設(shè)置在所述底座(2)內(nèi)，所述連接套筒(4)的軸心與所述底座(2)的軸心重合，并且所述連接套筒(4)與底座(2)連通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種金剛石單晶培養(yǎng)皿，其特征在于：所述控溫組件(3)包括進水管(31)、冷卻管(32)和循環(huán)水槽(33)，所述循環(huán)水槽(33)設(shè)置在所述底座(2)內(nèi)，所述進水管(31)設(shè)置在所述連接套筒(4)內(nèi)，所述進水管(31)的一端連接所述冷卻管(32)的一端，所述冷卻管(32)設(shè)置在靠近所述培養(yǎng)皿(1)的位置，所述冷卻管(32)的另一端與所述循環(huán)水槽(33)連通，所述循環(huán)水槽(33)與外部出水裝置連接，形成循環(huán)冷卻水。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種金剛石單晶培養(yǎng)皿，其特征在于：所述控溫組件(3)設(shè)置有8組，8組所述控溫組件(3)中的冷卻管(32)沿著所述底座(2)的軸線環(huán)形陣列。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種金剛石單晶培養(yǎng)皿，其特征在于：所述底座(2)的底部設(shè)置有熱電偶(5)，所述熱電偶(5)設(shè)置有8個，8個所述熱電偶(5)分別與所述冷卻管(32)的位置對應。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種金剛石單晶培養(yǎng)皿，其特征在于：所述冷卻管(32)盤設(shè)在所述培養(yǎng)皿(1)的底部。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種金剛石單晶培養(yǎng)皿，其特征在于：所述培養(yǎng)皿(1)的底托(11)為鎢材料制成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種金剛石單晶培養(yǎng)皿，其特征在于：所述培養(yǎng)皿(1)側(cè)壁的內(nèi)壁設(shè)置有三氧化二鋁涂層(6)。
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