[實用新型]一種多級電子阻擋薄膜以及鈣鈦礦太陽能電池

有效

• 申請號: 202222996257.X
• 申請日: 2022-11-10
• 公開（公告）號: CN218735822U
• 公開（公告）日: 2023-03-24
• 發明（設計）人: 請求不公布姓名
• 申請（專利權）人: 杭州纖納光電科技有限公司
• 主分類號: H10K30/10
• 分類號: H10K30/10;H10K30/88;H10K99/00;H10K71/00;H10K85/30
• 代理公司: 杭州奧創知識產權代理有限公司 33272
• 代理人: 楊文華

1.一種多級電子阻擋薄膜，其特征在于，所述多級電子阻擋薄膜具有A1-B-A2結構，其中，A1為漏電阻擋層，B為電子阻擋主體層，A2為界面鈍化層，電子阻擋主體層B由NiO、V₂O₅、CuO、CuSCN、CuI中任意一種材料制備，漏電阻擋層A1和界面鈍化層A2分別由無機氧化物、無機氮化物、無機碳化物、無機硅化物、無機硫化物、碳材料中任意一種材料制備。

2.如權利要求1所述的多級電子阻擋薄膜，其特征在于，所述無機氧化物分別為以下材料中的任一種：氧化銻、三氧化二鋁、氧化鈷、三氧化二硼、氧化鉍、三氧化鉻、氧化銅、氧化鎂、三氧化鉬、二氧化硅、氧化釩、氧化鋯，無機氮化物分別為以下材料中的任一種：碳氮化鋁、氮化鋁、氮化硼、氮化鈣、氮化鉻、氮化銪、氮化鎂、氮化硅、氮化鈦、氮化釩、氮化鋯、氮化鎵，無機碳化物分別為以下材料中的任一種：碳化鋁、碳化硼、碳化鉻、碳化鉬、碳化硅、碳化鈦、碳化釩、碳化鎢、碳化鋯，無機硅化物分別為以下材料中的任一種：硅化鈷、硅化鎂、硅化鉬、硅化鈮、硅化鈦、硅化鎢、硅化鋯，無機硫化物分別為以下材料中的任一種：硫化鋁、硫化銻、硫化鉍、硫化鋇、硫化硼、硫化鈣、硫化鉻、硫化鈷、硫化銪、硫化鎵、硫化鎂、硫化鉬、二硫化硅、硫化鎢、硫化釩、硫化鋯，碳材料分別為石墨烯及其衍生物、石墨炔及其衍生物、碳納米管中的任意一種。

3.如權利要求1所述的多級電子阻擋薄膜，其特征在于，在所述漏電阻擋層A1的制備材料中還摻雜有下轉換納米發光材料，或者，在所述漏電阻擋層A1表面還包覆有下轉換納米發光材料，下轉換納米發光材料為鈣鈦礦類量子點、石墨烯量子點、稀土類、無機硫化物類下轉換納米發光材料中至少一種。

4.如權利要求1所述的多級電子阻擋薄膜，其特征在于，所述漏電阻擋層A1的膜厚為1nm~80nm，界面鈍化層A2的膜厚為0.1nm~20nm。

5.一種鈣鈦礦太陽能電池，其內部結構包括自上而下設置的基底、透明導電電極、鈣鈦礦吸光層、電子傳輸層、金屬電極，其特征在于，在透明導電電極與鈣鈦礦吸光層之間設置了如權利要求1~4中任意一項所述的多級電子阻擋薄膜，其中，所述多級電子阻擋薄膜的漏電阻擋層A1位于透明導電電極側與透明導電電極接觸，界面鈍化層A2則位于鈣鈦礦吸光層側與鈣鈦礦吸光層接觸。

6.如權利要求5所述的鈣鈦礦太陽能電池，其特征在于，所述鈣鈦礦吸光層的制備材料的分子式為ADX₃，其中，A為銫、銣、胺基、脒基、堿族中至少一種一階陽離子，D為鉛、錫、鎢、銅、鋅、鎵、鍺、砷、硒、銠、鈀、銀、鎘、銦、銻、鋨、銥、鉑、金、汞、鉈、鉍和釙中至少一種二價金屬陽離子，X為碘、溴、氯、砹、硫氰根、醋酸根中至少一種一階陰離子。