[實用新型]一種超低熱阻的大功率SiC功率模塊

有效

• 申請號: 202222993706.5
• 申請日: 2022-11-10
• 公開（公告）號: CN219144168U
• 公開（公告）日: 2023-06-06
• 發明（設計）人: 尚海;梁琳;顏輝;孫祥玉;邵凌翔;陳晨
• 申請（專利權）人: 常州瑞華新能源科技有限公司;華中科技大學
• 主分類號: H01L23/492
• 分類號: H01L23/492;H01L23/29;H01L23/34;H01L23/373;H01L29/78
• 代理公司: 南京勤行知識產權代理事務所(普通合伙) 32397
• 代理人: 夏佳

1.一種超低熱阻的大功率SiC功率模塊，其特征在于，包括SiC?MOSFET芯片，所述SiCMOSFET芯片連接有緩沖導電片，所述緩沖導電片和所述SiC?MOSFET芯片之間設置有焊料層，所述緩沖導電片連接有導電銅片，所述緩沖導電片包括上緩沖導電片和下緩沖導電片，所述上緩沖導電片和所述下緩沖導電片分別設置在所述SiC?MOSFET芯片的頂部和底部，所述上緩沖導電片的上方設置有散熱器，且所述下緩沖導電片的底部連接有散熱器，所述下緩沖導電片和設置在所述下緩沖導電片底部的散熱器之間設置有導熱硅脂。

2.根據權利要求1所述的一種超低熱阻的大功率SiC功率模塊，其特征在于，所述導電銅片包括第一導電銅片、第二導電銅片、第三導電銅片和第四導電銅片，所述第一導電銅片設置在所述上緩沖導電片和上方所述散熱器之間，所述第一導電銅片和所述上緩沖導電片之間設置有焊料層，所述第一導電銅片與上方所述散熱器之間設置有導熱硅脂，所述第二導電銅片設置在所述下緩沖導電片上，所述第三導電銅片與所述SiC?MOSFET芯片連接，所述第四導電銅片與所述第三導電銅片連接。

3.根據權利要求2所述的一種超低熱阻的大功率SiC功率模塊，其特征在于，所述第一導電銅片設置為源極功率端子，所述源極功率端子通過所述上緩沖導電片引出所述SiCMOSFET芯片的源極，所述SiC?MOSFET芯片和所述第二導電銅片均設置在下緩沖導電片的上表面，所述第二導電銅片作為所述SiC?MOSFET芯片的漏極引出端子，所述第四導電銅片作為所述SiC?MOSFET芯片的柵極引出端子。

4.根據權利要求2所述的一種超低熱阻的大功率SiC功率模塊，其特征在于，所述SiCMOSFET芯片、所述上緩沖導電片和所述第三導電銅片設置為一組引出組件且至少設置有兩組，所述引出組件平行并聯設置。

5.根據權利要求1所述的一種超低熱阻的大功率SiC功率模塊，其特征在于，所述導電銅片、所述SiC?MOSFET芯片和所述緩沖導電片由環氧樹脂封裝。

6.根據權利要求1所述的一種超低熱阻的大功率SiC功率模塊，其特征在于，所述緩沖導電片采用鉬或銅材質制作。