[實用新型]一種使用鋁包銅線鍵合SiC芯片的半導體功率模塊

有效

• 申請號: 202222895976.2
• 申請日: 2022-11-01
• 公開（公告）號: CN219040462U
• 公開（公告）日: 2023-05-16
• 發明（設計）人: 王家耀
• 申請（專利權）人: 浙江谷藍電子科技有限公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/14;H01L23/49;H01L29/16;H01L29/70
• 代理公司: 杭州九洲專利事務所有限公司 33101
• 代理人: 馮權

1.一種使用鋁包銅線鍵合SiC芯片的半導體功率模塊，包括半導體功率模塊本體（1），其特征在于：所述半導體功率模塊本體（1）包括散熱基板（2）以及設置在散熱基板（2）上表面的金屬化陶瓷襯底（3），且金屬化陶瓷襯底（3）的面積小于散熱基板（2）的面積，通過設置在金屬化陶瓷襯底（3）四個角落處的螺絲孔（12）將金屬化陶瓷襯底（3）固定在散熱基板（2）上，所述金屬化陶瓷襯底（3）背離散熱基板（2）的一側面上設置有SiC芯片（4），該SiC芯片（4）上的一端設置有發射極，發射極通過鍵合至少一條鋁包銅線（5）與金屬化陶瓷襯底（3）的陽極相連接，并在金屬化陶瓷襯底（3）背離散熱基板（2）的一側面上還設置有功率端子（6）；所述金屬化陶瓷襯底（3）的外側通過密封膠（7）還粘合有外殼（8）。

2.根據權利要求1所述的使用鋁包銅線鍵合SiC芯片的半導體功率模塊，其特征在于：所述散熱基板（2）上均勻開設有與金屬化陶瓷襯底（3）位置相對應的多個散熱孔（9），并在散熱基板的四個角落處開設有圓形的安裝孔（10）。

3.根據權利要求2所述的使用鋁包銅線鍵合SiC芯片的半導體功率模塊，其特征在于：所述金屬化陶瓷襯底（3）為多塊，每塊金屬化陶瓷襯底（3）由從上至下依次設置的第一金屬層、中間陶瓷層、第二金屬層組成，之間通過金屬化陶瓷工藝制成。

4.根據權利要求3所述的使用鋁包銅線鍵合SiC芯片的半導體功率模塊，其特征在于：所述金屬化陶瓷襯底（3）的第一金屬層和第二金屬層均為銅層，且金屬化陶瓷襯底的第二金屬層通過焊料（11）焊接在所述散熱基板（2）上。

5.根據權利要求4所述的使用鋁包銅線鍵合SiC芯片的半導體功率模塊，其特征在于：所述金屬化陶瓷襯底（3）的第一金屬層上通過焊料焊接有至少一個功率端子（6）。

6.根據權利要求1所述的使用鋁包銅線鍵合SiC芯片的半導體功率模塊，其特征在于：所述鋁包銅線（5）為銅芯和鋁包覆層組成的復合鍵合線。