[實(shí)用新型]陣列基板和顯示面板有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202222849466.1 | 申請日: | 2022-10-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN218602433U | 公開(公告)日: | 2023-03-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王俊策;袁海江 | 申請(專利權(quán))人: | 惠科股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/12 | 分類號(hào): | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 深圳市百瑞專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 44240 | 代理人: | 邢濤 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市寶安區(qū)石巖街道石龍社區(qū)*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 陣列 顯示 面板 | ||
1.一種陣列基板,其特征在于,所述陣列基板包括:
襯底;
第一柵極、漏極和第二柵極,都分別間隔設(shè)置在所述襯底上,所述漏極位于所述第一柵極和第二柵極之間;
有源層,設(shè)置在所述漏極上;
絕緣層,設(shè)置在所述第一柵極、所述有源層和所述第二柵極上;以及
數(shù)據(jù)線和源極,都設(shè)置在所述絕緣層上,且所述源極與所述有源層對應(yīng)設(shè)置,通過第一過孔與所述有源層連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述有源層同時(shí)覆蓋所述漏極的側(cè)面和所述漏極中背離所述襯底的一面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述第一柵極的厚度和所述第二柵極的厚度均大于所述漏極的厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述漏極的厚度與所述有源層的厚度之和,大于所述第一柵極的厚度,以及所述第二柵極的厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)設(shè)置有第一沉槽,所述數(shù)據(jù)線設(shè)置在所述第一沉槽內(nèi),所述源極設(shè)置在所述第一過孔內(nèi),且所述數(shù)據(jù)線遠(yuǎn)離所述襯底的一面、所述源極遠(yuǎn)離所述襯底的一面與所述絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底的一面齊平。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板還包括漏極遮光層、第一柵極遮光層和第二柵極遮光層,所述第一柵極遮光層設(shè)置在所述襯底與所述第一柵極之間,所述漏極遮光層設(shè)置所述襯底與所述漏極之間,所述第二柵極遮光層設(shè)置所述襯底與所述第二柵極之間,所述漏極遮光層在所述襯底上的正投影覆蓋所述有源層在所述襯底上的正投影。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板,其特征在于,所述第一柵極遮光層的厚度與所述第二柵極遮光層的厚度均大于所述漏極遮光層的厚度,且均小于所述漏極遮光層的厚度和所述漏極的厚度之和。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板還包括鈍化層和像素電極層,所述鈍化層設(shè)置在所述數(shù)據(jù)線、所述源極和所述絕緣層上;
所述陣列基板還包括第二過孔,所述第二過孔貫穿所述鈍化層、所述絕緣層和所述有源層,所述像素電極層通過所述第二過孔與所述漏極連接;
所述漏極的厚度、所述有源層的厚度和所述源極的厚度之和等于絕緣層的厚度,所述鈍化層的厚度小于所述絕緣層的厚度。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板,其特征在于,所述第二過孔的孔壁上設(shè)置有絕緣墊,所述絕緣墊將所述有源層與所述像素電極層隔開。
10.一種顯示面板,其特征在于,所述顯示面板包括彩膜基板、液晶層和如權(quán)利要求1-9中任意一項(xiàng)所述的陣列基板,所述液晶層設(shè)置在所述彩膜基板和所述陣列基板之間,所述彩膜基板和所述陣列基板對盒設(shè)置。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





