[實用新型]一種用于化學氣相沉積的升降基臺裝置有效
| 申請號: | 202222810813.X | 申請日: | 2022-10-25 |
| 公開(公告)號: | CN218321638U | 公開(公告)日: | 2023-01-17 |
| 發明(設計)人: | 邱永強;劉永寧;趙俊芳 | 申請(專利權)人: | 山西方維晟智能科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/511 | 分類號: | C23C16/511;C23C16/458 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 030024 山西省太原市萬柏*** | 國省代碼: | 山西;14 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 化學 沉積 升降 裝置 | ||
本實用新型提供一種用于化學氣相沉積的升降基臺裝置,涉及化學氣相沉積技術領域。該用于化學氣相沉積的升降基臺裝置,包括諧振腔組件,基臺組件、腔體密封板、支撐桿導向套、支撐桿、大波紋管、波紋管密封板、密封螺釘、水管組件、樣品臺升降板、小波紋管、基臺升降板、樣品臺、驅動裝置固定板和基臺升降直線模組。該用于化學氣相沉積的升降基臺裝置,通過基臺組件的升降調整改變等離子體的形態,可使其更符合生產的需求,覆蓋面積能更好的覆蓋生長區域,生產效率得到了提升;通過樣品臺高度的調整,改變產品表面和等離子體的距離,更好的控制產品溫度,提升了產品的成品率。
技術領域
本實用新型涉及一種升降基臺裝置,具體為一種用于化學氣相沉積的升降基臺裝置,屬于化學氣相沉積技術領域。
背景技術
近年來微波等離子體化學氣相沉積法(MPCVD)技術越來越成熟,越來越多的企業用該方法來生產金剛石類產品?,F有MPCVD設備采用圓周天線方式的腔體,一般是微波經過三銷釘、波導和微波模式轉換器傳入由天線、石英玻璃、生長臺組成的密閉腔體后生成等離子體,再由天線中的特氣管路通入工藝氣體,經過一些化學氣相沉積,在生長臺上沉積生成需要的產品。
在產品生長的過程中,產品表面的位置需要維持一定的溫度,過高或者過低都會影響產品生長。生長到一定時間,產品的厚度變大導致離等離子體距離變小,會使產品溫度過高不利于生長。
諧振腔體是微波能量激發反應氣體形成等離子體的容器。微波饋入腔體的過程中經過特殊設計的腔體,使微波在指定位置產生需要的等離子體。腔體形狀的設計影響了腔內的電場分布微波耦合,等離子體的位置和形狀與腔體內部幾何尺寸息息相關。
在現有技術中存在以下問題:
1.生長到一定時間,產品的厚度變大導致離等離子體距離變小,會使產品溫度過高不利于生長。目前大多數設計基臺和樣品臺固定,無法進行調整,導致產品質量無法得到提升;
2.由于腔體和天線、石英玻璃、生長臺等組成的諧振腔的各個零件尺寸固定無法調整,在制造和安裝過程中難免出現誤差的累計,就會導致等離子體大小、形狀和位置會出現一定的偏差,進而影響到產品的生長。
實用新型內容
(一)解決的技術問題
本實用新型的目的就在于為了解決上述問題而提供一種用于化學氣相沉積的升降基臺裝置,以解決現有技術中生長到一定時間,產品的厚度變大導致離等離子體距離變小,會使產品溫度過高不利于生長。目前大多數設計基臺和樣品臺固定,無法進行調整,導致產品質量無法得到提升;由于腔體和天線、石英玻璃、生長臺等組成的諧振腔的各個零件尺寸固定無法調整,在制造和安裝過程中難免出現誤差的累計,就會導致等離子體大小、形狀和位置會出現一定的偏差,進而影響到產品的生長的問題。
(二)技術方案
為實現以上目的,本實用新型通過以下技術方案予以實現:一種用于化學氣相沉積的升降基臺裝置,包括諧振腔組件,基臺組件、腔體密封板、支撐桿導向套、支撐桿、大波紋管、波紋管密封板、密封螺釘、水管組件、樣品臺升降板、小波紋管、基臺升降板、樣品臺、驅動裝置固定板和基臺升降直線模組,所述諧振腔組件內部設有圓柱形的諧振腔體,所述基臺組件安裝于波紋管密封板頂部,所述波紋管密封板固定連接于基臺升降板,所述支撐桿上部與基臺組件螺紋連接,所述小波紋管和樣品臺安裝于樣品臺升降板頂部,小波紋管波紋狀結構有一定的壓縮量適配樣品臺的上下調整距離,所述樣品臺升降板外部連接有樣品臺升降直線模組,使樣品臺穩定升降。
優選的,所述諧振腔組件下部設置有法蘭,所述腔體密封板頂部固定連接有圓形密封圈,并通過諧振腔組件的法蘭與腔體密封板的圓形密封圈接觸密封。
優選的,所述基臺組件中部設有用于對樣品臺導向的圓柱形導套,波紋管密封板安裝在基臺升降板上,生產過程中可根據工藝需要調整高度位置,中部設有圓柱形導套對安裝于其中的樣品臺起導向作用,并保證兩者同軸心。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





