[實用新型]一種穩定氣流場的抽氣裝置及LPCVD管式反應器

有效

• 申請號: 202222762090.0
• 申請日: 2022-10-19
• 公開（公告）號: CN218621036U
• 公開（公告）日: 2023-03-14
• 發明（設計）人: 李種玉;張生利;王永謙;陳剛
• 申請（專利權）人: 浙江愛旭太陽能科技有限公司;天津愛旭太陽能科技有限公司;珠海富山愛旭太陽能科技有限公司;廣東愛旭科技有限公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44
• 代理公司: 北京市天元律師事務所 16010
• 代理人: 夏智海

本實用新型涉及鍍膜技術領域，具體涉及一種穩定氣流場的抽氣裝置LPCVD管式反應器，抽氣裝置應用在LPCVD管式反應器上，LPCVD管式反應器內設有工藝區，抽氣裝置包括主抽氣部和至少一個次抽氣部；主抽氣部位于工藝區的一端，至少一個次抽氣部位于工藝區的另一端。本實用新型在工藝區的兩端分別設置了主抽氣部和次抽氣部，二者都具有抽氣能力，從而使得LPCVD管式反應器中的在遠離主抽氣部的一端的氣體也能夠被及時抽走，不會產生紊流而積累氣體，從而避免工藝特氣提前反應而聚合產生粉塵顆粒落到硅片上造成膜的表面粗糙，確保膜的致密性好，確保硅片上的膜的質量。

技術領域

本實用新型屬于鍍膜技術領域，尤其涉及一種穩定氣流場的抽氣裝置及LPCVD管式反應器。

背景技術

在TOPCon等鈍化接觸類太陽能電池片生產過程中，需要在硅片表面沉積多晶硅薄膜，現有技術通常采用LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition，即低壓力化學氣相沉積法)設備進行膜的沉積。

太陽能電池應用的量產設備(LPCVD爐)主要以進舟端為爐口，另一側為爐尾的結構為主。現有爐體通常通過在爐口安裝的進氣管或爐尾插入的一組補氣管向爐管內噴射鍍膜所需的工藝特氣(例如硅烷)，在爐管一端進行抽氣排空。使用時，將硅片排列在舟上并置入爐內的恒溫工藝區，輸入工藝特氣并抽真空，在特定溫度下對硅片進行低壓沉積鍍膜。

為了提產提效，將單管LPCVD爐管的硅片的裝載量由幾百片提高到一兩千片，則爐管的長度、恒溫工藝區的長度需要加長。然而，在采用加長后的LPCVD爐管進行鍍膜生產時，生產出來的硅片上，部分硅片的膜的致密性較差，膜的表面粗糙程度較大，無法達到質量要求。

因此，需要一種新的技術以解決現有技術中的爐管的長度、恒溫工藝區的長度增加后產生的硅片上的膜的致密性較差、膜的表面粗糙程度較大，無法達到質量要求的問題。

實用新型內容

本實用新型實施例提供一種穩定氣流場的抽氣裝置及LPCVD管式反應器，旨在解決爐管的長度、恒溫工藝區的長度增加后產生的硅片上的膜的致密性較差、膜的表面粗糙程度較大，無法達到質量要求的問題。

本實用新型實施例是這樣實現的：

一種穩定氣流場的抽氣裝置，應用在LPCVD管式反應器上，LPCVD管式反應器內設有工藝區，所述抽氣裝置包括主抽氣部和至少一個次抽氣部；

所述主抽氣部位于工藝區的一端，所述至少一個次抽氣部位于工藝區的另一端。

更進一步地，所述次抽氣部包括插入所述LPCVD管式反應器內的次抽氣管；所述抽氣管連接有負壓源。

更進一步地，所述負壓源為泵體或所述主抽氣部的負壓管路。

更進一步地，所述次抽氣管與泵體或所述負壓管路之間設有可調開度的控制閥。

更進一步地，所述泵體抽速可調。

更進一步地，所述次抽氣管由所述LPCVD管式反應器的尾部插入LPCVD管式反應器內。

更進一步地，所述LPCVD管式反應器設有用于將爐蓋和爐身連接密封的的連接結構；

所述連接結構設有內部孔道，所述內部孔道設有與所述LPCVD管式反應器內連通的氣口；

所述次抽氣部包括位于LPCVD管式反應器外的次抽氣管，所述次抽氣管的一端與所述內部孔道連通，另一端連接有負壓源。

更進一步地，所述主抽氣部包括主抽氣管，所述主抽氣管穿過所述LPCVD管式反應器的尾部延伸至首端。

更進一步地，所述次抽氣部為設置在所述主抽氣管上的至少一個開孔。