[實用新型]一種硅通孔結構有效
| 申請號： | 202222744203.4 | 申請日： | 2022-10-18 |
| 公開（公告）號： | CN218513453U | 公開（公告）日： | 2023-02-21 |
| 發明（設計）人： | 任棟 | 申請（專利權）人： | 上海安其威微電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/48 | 分類號： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德崇智捷知識產權代理有限公司 11467 | 代理人： | 王金雙 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 硅通孔 結構 | ||
1.一種硅通孔結構，其特征在于，包括，晶圓，所述晶圓中形成有芯片及電連接部，所述電連接部與所述芯片電連接；
所述晶圓中設置有通孔，所述通孔位于所述電連接部上；
所述通孔表面及所述晶圓表面設置有導電層，所述導電層與所述電連接部連接，所述芯片通過所述導電層、電連接部與外部電氣連接；
所述導電層與所述晶圓表面之間設置有結合塊，所述結合塊與所述導電層、晶圓之間的結合力大于所述導電層與所述晶圓表面之間的結合力。
2.根據權利要求1所述的硅通孔結構，其特征在于，所述晶圓表面具有氧化層。
3.根據權利要求1所述的硅通孔結構，其特征在于，所述結合塊至少位于部分相鄰兩個所述通孔之間的晶圓上表面上。
4.根據權利要求1所述的硅通孔結構，其特征在于，所述結合塊突出于所述晶圓上表面。
5.根據權利要求1所述的硅通孔結構，其特征在于，所述結合塊內嵌于所述晶圓上表面的開槽中。
6.根據權利要求5所述的硅通孔結構，其特征在于，所述結合塊與所述晶圓表面高度一致。
7.根據權利要求5所述的硅通孔結構，其特征在于，所述開槽的寬度為70um±10um。
8.根據權利要求5所述的硅通孔結構，其特征在于，所述開槽的深度為6-8um。
9.根據權利要求5所述的硅通孔結構，其特征在于，所述開槽的間距為20-140um。
10.根據權利要求1所述的硅通孔結構，其特征在于，還包括：位于所述通孔背面的載板或位于所述導電層上的裝配板。
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