[實用新型]一種氫氟酸刻蝕硅片的裝置有效
| 申請號: | 202222730812.4 | 申請日: | 2022-10-17 |
| 公開(公告)號: | CN218385247U | 公開(公告)日: | 2023-01-24 |
| 發明(設計)人: | 夏新中;潘明翠;翟金葉;孟慶超;王紅芳;郎芳 | 申請(專利權)人: | 英利能源發展有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L21/67;C30B33/10;C30B29/06 |
| 代理公司: | 河北國維致遠知識產權代理有限公司 13137 | 代理人: | 趙寶琴 |
| 地址: | 071051 河北省保定*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 氫氟酸 刻蝕 硅片 裝置 | ||
1.一種氫氟酸刻蝕硅片的裝置,其特征在于,包括:
酸液槽,用于盛裝氫氟酸;
多組滾輪,轉動安裝在所述酸液槽內,用于傳輸硅片;所述滾輪的上表面低于氫氟酸的液面;以及
加熱絲,安裝在所述滾輪上,用于對硅片的下表面進行加熱。
2.如權利要求1所述的一種氫氟酸刻蝕硅片的裝置,其特征在于,所述滾輪包括:所述滾輪包括殼體以及轉軸,所述轉軸貫穿所述殼體的軸心設置,所述轉軸轉動設置在所述酸液槽的側壁上,所述加熱絲設置在所述殼體內部,硅片放置在所述殼體上,隨著所述轉軸的轉動自所述酸液槽的入口端傳送至所述酸液槽的出口端,硅片的下端面與氫氟酸接觸,氫氟酸對硅片下端面的硼硅玻璃進行腐蝕。
3.如權利要求2所述的一種氫氟酸刻蝕硅片的裝置,其特征在于,所述加熱絲環繞分布在所述殼體的內壁。
4.如權利要求3所述的一種氫氟酸刻蝕硅片的裝置,其特征在于,所述加熱絲呈螺旋狀。
5.如權利要求4所述的一種氫氟酸刻蝕硅片的裝置,其特征在于,還包括外部電源,所述外部電源固定安裝在轉軸上,所述外部電源連接所述加熱絲,用于為所述加熱絲提供電能。
6.如權利要求5所述的一種氫氟酸刻蝕硅片的裝置,其特征在于,所述外部電源位于所述酸液槽的外部。
7.如權利要求2所述的一種氫氟酸刻蝕硅片的裝置,其特征在于,所述轉軸與所述殼體之間通過支撐連桿連接,所述支撐連桿沿所述轉軸的徑向設置。
8.如權利要求2所述的一種氫氟酸刻蝕硅片的裝置,其特征在于,還包括驅動電機,所述驅動電機固定安裝在所述酸液槽的側壁,所述驅動電機用于驅動所述轉軸轉動。
9.如權利要求8所述的一種氫氟酸刻蝕硅片的裝置,其特征在于,所述驅動電機與所述轉軸通過齒輪傳動。
10.如權利要求2所述的一種氫氟酸刻蝕硅片的裝置,其特征在于,所述殼體由聚四氟乙烯材質制作。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





