[實用新型]一種復合溝槽型肖特基二極管器件有效
| 申請號： | 202222680748.3 | 申請日： | 2022-10-11 |
| 公開（公告）號： | CN218632054U | 公開（公告）日： | 2023-03-14 |
| 發明（設計）人： | 張小辛;李秋梅;艾治州 | 申請（專利權）人： | 華潤微電子（重慶）有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/872 | 分類號： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 劉星 |
| 地址： | 401331 *** | 國省代碼： | 重慶;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 復合 溝槽 型肖特基 二極管 器件 | ||
1.一種復合溝槽型肖特基二極管器件，其特征在于，包括：
襯底，包括相對設置的正面與背面；
外延層，位于所述襯底的正面；
溝槽結構陣列，位于所述外延層中并自所述外延層的正面往所述外延層的背面方向延伸，所述溝槽結構陣列包括多個排列成至少兩行及至少兩列的溝槽結構陣列單元，所述溝槽結構陣列單元包括多個相互平行且間隔設置的線型溝槽結構，相鄰兩個溝槽結構陣列單元中的線型溝槽結構的延伸方向互相垂直；
肖特基金屬層，位于所述外延層的正面并覆蓋所述線型溝槽結構；
正面金屬電極層，位于所述肖特基金屬層上；
背面金屬電極層，位于所述襯底的背面。
2.根據權利要求1所述的復合溝槽型肖特基二極管器件，其特征在于：所述復合溝槽型肖特基二極管器件還包括位于所述外延層中并自所述外延層的正面往所述外延層的背面方向延伸的一個或多個環形溝槽結構，所述環形溝槽結構環設于所述溝槽結構陣列的外圍。
3.根據權利要求2所述的復合溝槽型肖特基二極管器件，其特征在于：所述環形溝槽結構呈圓角正方形環。
4.根據權利要求2所述的復合溝槽型肖特基二極管器件，其特征在于：所述線型溝槽結構及所述環形溝槽結構均包括導電材料層及包覆于所述導電材料層的側壁與底面的介質層。
5.根據權利要求1所述的復合溝槽型肖特基二極管器件，其特征在于：所述溝槽結構陣列單元中，多個所述線型溝槽結構的長度一致且等間距排列。
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