[實用新型]電磁屏蔽封裝結構及電子組件有效
| 申請號: | 202222678487.1 | 申請日: | 2022-10-11 |
| 公開(公告)號: | CN218525544U | 公開(公告)日: | 2023-02-24 |
| 發明(設計)人: | 廖志豪;吳書翰;黃馨葉 | 申請(專利權)人: | 纮華電子科技(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/552 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 閆華 |
| 地址: | 201801 上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電磁 屏蔽 封裝 結構 電子 組件 | ||
本實用新型公開一種電磁屏蔽封裝結構及電子組件。所述電磁屏蔽封裝結構包含一載板、安裝于所述載板的至少一個芯片、形成于所述載板且埋置至少一個所述芯片的一封裝體、形成于所述封裝體外表面的一電磁屏蔽層及一絕緣層。所述電磁屏蔽層的底緣切齊于所述載板的底面。所述絕緣層包含有一噴涂覆蓋部及一毛細滲透部。所述噴涂覆蓋部形成于所述電磁屏蔽層的至少部分外表面。所述毛細滲透部自所述噴涂覆蓋部的底端通過毛細現象朝所述載板的所述底面延伸所形成,并且所述毛細滲透部覆蓋所述電磁屏蔽層的所述底緣。據此,所述電磁屏蔽封裝結構能以所述毛細滲透部來覆蓋所述電磁屏蔽層的底緣,進而避免所述電磁屏蔽層與其他構件產生短路。
技術領域
本實用新型涉及一種封裝結構,尤其涉及一種電磁屏蔽封裝結構及電子組件。
背景技術
現有封裝結構于倒裝芯片(flip chip)焊接至一電路板時,由于現有封裝結構的導電部與電磁屏蔽層之間的距離過于相近,因而容易因為焊料而導致上述導電部與電磁屏蔽層連通而產生短路。于是,本實用新型人認為上述缺陷可改善,乃特潛心研究并配合科學原理的運用,終于提出一種合理且有效改善上述缺陷的本實用新型。
實用新型內容
本實用新型實施例的目的在于提供一種電磁屏蔽封裝結構及電子組件,能有效地改善現有封裝結構所可能產生的缺陷。
本實用新型實施例公開一種電子組件,其包括:一電磁屏蔽封裝結構,包含:一載板,包含有位于相反側的一第一板面與一第二板面及相連于第一板面與第二板面的一環側緣;其中,第二板面配置有多個導電部;至少一個芯片,安裝于載板的第一板面上,并且至少一個芯片電性耦接于至少一個導電部;一封裝體,形成于載板的第一板面且埋置至少一個芯片;一電磁屏蔽層,形成于載板的環側緣及封裝體的外表面,并且電磁屏蔽層的底緣切齊于載板的第二板面;及一絕緣層,包含有:一噴涂覆蓋部,形成于電磁屏蔽層的至少部分外表面;及一毛細滲透部,自噴涂覆蓋部的底端通過毛細現象朝第二板面延伸所形成,并且毛細滲透部覆蓋電磁屏蔽層的底緣;一電路板,形成有多個連接墊;其中,電磁屏蔽封裝結構的多個導電部分別位于多個連接墊上,并且毛細滲透部位于多個連接墊上;以及多個焊接體,連接電磁屏蔽封裝結構與電路板,并且每個導電部與相對應的連接墊以一個焊接體相連接;其中,電磁屏蔽層通過毛細滲透部而與任一個焊接體隔開。
優選地,每個焊接體包含有:一連接部,連接于相對應導電部與連接墊之間;一延伸部,自連接部延伸而形成,并且延伸部連接于相對應連接墊與毛細滲透部之間;及一攀爬部,自延伸部延伸而形成,并且攀爬部連接于相對應連接墊及部分噴涂覆蓋部。
優選地,電磁屏蔽層的外表面包含有一頂面及相連于頂面與底緣的一環側面,并且噴涂覆蓋部形成于電磁屏蔽層的環側面。
優選地,噴涂覆蓋部形成于電磁屏蔽層的整個外表面。
優選地,毛細滲透部的內邊緣呈不規則狀且位于電磁屏蔽層的底緣的內側、并位于多個導電部的外側。
優選地,毛細滲透部的厚度小于噴涂覆蓋部的厚度。
優選地,電磁屏蔽層進一步限定為厚度介于3微米~5微米的一納米金屬層。
本實用新型實施例也公開一種電磁屏蔽封裝結構,其包括:一載板,包含有位于相反側的一第一板面與一第二板面及相連于第一板面與第二板面的一環側緣;至少一個芯片,安裝于載板的第一板面上;一封裝體,形成于載板的第一板面且埋置至少一個芯片;一電磁屏蔽層,形成于載板的環側緣及封裝體的外表面,并且電磁屏蔽層的底緣切齊于載板的第二板面;以及一絕緣層,包含有:一噴涂覆蓋部,形成于電磁屏蔽層的至少部分外表面;及一毛細滲透部,自噴涂覆蓋部的底端通過毛細現象朝第二板面延伸所形成,并且毛細滲透部覆蓋電磁屏蔽層的底緣。
優選地,載板的第二板面配置有多個導電部,并且至少一個芯片電性耦接于至少一個導電部;其中,毛細滲透部的內邊緣呈不規則狀且位于電磁屏蔽層的底緣的內側、并位于多個導電部的外側。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





