[實用新型]一種安裝有水冷導流罩的單晶爐設備

有效

• 申請號: 202222633880.9
• 申請日: 2022-10-08
• 公開（公告）號: CN218089889U
• 公開（公告）日: 2022-12-20
• 發明（設計）人: 蘇鑫;羅乾;楊福;張培順;高玉順;羅艷
• 申請（專利權）人: 陽光能源（青海）有限公司
• 主分類號: C30B27/02
• 分類號: C30B27/02;C30B29/06
• 代理公司: 重慶樂泰知識產權代理事務所(普通合伙) 50221
• 代理人: 崔雷

本實用新型公開了一種安裝有水冷導流罩的單晶爐設備，包括單晶爐本體和后水冷導流罩，所述單晶爐本體一側的外壁設置有前水冷導流罩，所述前水冷導流罩底部開設有觀察槽，所述后水冷導流罩設置于單晶爐本體的另一側外壁。本實用新型通過設置的前水冷導流罩和后水冷導流罩，前水冷導流罩和后水冷導流罩可以對單晶爐本體進行包裹，防止單晶爐本體內的熱量向外流失，使單晶爐本體的溫度可以恒定，然后通過前水冷導流罩和后水冷導流罩內設置的貼合板與單晶爐本體貼合，可以使水進入伸縮連接管的內部，帶走單晶爐本體表面的熱量對單晶爐進行散熱。

技術領域

本實用新型涉及單晶爐領域，具體涉及一種安裝有水冷導流罩的單晶爐設備。

背景技術

單晶爐是一種在惰性氣體(氮氣、氦氣為主)環境中，用石墨加熱器將多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法生長無錯位單晶的設備，單晶直徑在生長過程中可受到溫度、提拉速度與轉速、坩堝跟蹤速度與轉速、保護氣體的流速等因素的影響，其中溫度主要決定能否成晶，而速度將直接影響到晶體的內在質量，而這種影響卻只能在單晶拉出后通過檢測才能獲知，溫度分布合適的熱場，不僅單晶生長順利，而且品質較高。如果熱場的溫度分布不是很合理，生長單晶的過程中容易產生各種缺陷，影響質量，情況嚴重的出現變晶現象生長不出來單晶。但是其在實際使用時，由于單晶爐在運行的過程中溫度過高，且不同通過外部的影像控制內部的溫度，導致單晶爐內的晶體的品質會降低。因此，發明一種安裝有水冷導流罩的單晶爐設備來解決上述問題很有必要。

實用新型內容

本實用新型的目的是提供一種安裝有水冷導流罩的單晶爐設備，以解決由于單晶爐在運行的過程中溫度過高，且不同通過外部的影像控制內部的溫度，導致單晶爐內的晶體的品質會降低的問題。

為了實現上述目的，本實用新型提供如下技術方案：一種安裝有水冷導流罩的單晶爐設備，包括單晶爐本體和后水冷導流罩，所述單晶爐本體一側的外壁設置有前水冷導流罩，所述前水冷導流罩底部開設有觀察槽，所述后水冷導流罩設置于單晶爐本體的另一側外壁，所述單晶爐本體和后水冷導流罩的外壁均焊接有連接板，所述連接板的內部設置有固定螺栓，所述單晶爐本體和后水冷導流罩的內部均開設有進水槽，所述進水槽一側設置有伸縮連接管，所述伸縮連接管一端設置有貼合板，所述伸縮連接管內部設置有分隔板。

優選的，所述前水冷導流罩為鑄鐵材質制成，所述前水冷導流罩外壁設置的連接板與后水冷導流罩外壁設置的連接板貼合。

優選的，所述后水冷導流罩包括上連接環、中連接環和下連接環，所述上連接環設置于單晶爐本體的頂部的外壁，所述上連接環底部設置有中連接環，所述中連接環底部設置有下連接環。

優選的，所述上連接環、中連接環和下連接環均為鑄鐵材質制成，所述上連接環的直徑是單晶爐本體直徑的兩倍。

優選的，所述中連接環的縱截面為等腰梯形，所述中連接環的頂部的直徑與上連接環的直徑相等，所述中連接環的底部的直徑與下連接環的直徑相等。

優選的，所述進水槽的數量設置為多個，多個所述進水槽環形陣列于前水冷導流罩和連接板的內部。

優選的，所述貼合板的橫截面為圓弧形，所述貼合板為黃銅材質制成。

優選的，所述分隔板設置于伸縮連接管的正中間，所述分隔板與貼合板之間開設有貫穿槽。

本實用新型通過設置的前水冷導流罩和后水冷導流罩，前水冷導流罩和后水冷導流罩可以對單晶爐本體進行包裹，防止單晶爐本體內的熱量向外流失，使單晶爐本體的溫度可以恒定，然后通過前水冷導流罩和后水冷導流罩內設置的貼合板與單晶爐本體貼合，可以使水進入伸縮連接管的內部，帶走單晶爐本體表面的熱量，對單晶爐本體表面的熱量進行回收的過程中對單晶爐本體進行冷卻和降溫。

附圖說明

圖1為本實用新型一種安裝有水冷導流罩的單晶爐設備的立體圖；

圖2為本實用新型一種安裝有水冷導流罩的單晶爐設備的立體剖面圖；