[實用新型]硅漂移探測器的封裝結構

有效

• 申請號: 202222606708.4
• 申請日: 2022-09-30
• 公開（公告）號: CN218447924U
• 公開（公告）日: 2023-02-03
• 發明（設計）人: 趙珍陽;范茂軍;趙英勃;趙玉新;侯維杰
• 申請（專利權）人: 山東東儀光電儀器有限公司
• 主分類號: H01L31/0203
• 分類號: H01L31/0203;G01D21/02
• 代理公司: 深圳市深弘廣聯知識產權代理事務所(普通合伙) 44449
• 代理人: 易涵冰

1.一種硅漂移探測器的封裝結構，其特征在于，包括殼體，殼體形成有入射窗口，所述入射窗口嵌合有鈹片，所述鈹片用于放射線入射；在所述殼體的容置腔內還設置有：

硅漂移探測元件，第一表面與所述入射窗口對應設置；

準直器，與所述硅漂移探測元件連接，且設置于第一表面靠近所述入射窗口的一側；

放大器，與所述硅漂移探測元件電連接，用于放大所述硅漂移探測元件的輸出信號；

陶瓷基座，與所述硅漂移探測元件連接，設置于所述硅漂移探測元件遠離所述準直器的一側；其中，所述陶瓷基座的表面設置有至少兩個凹槽，所述凹槽內嵌合有絕壓傳感器和/或溫度傳感器，所述絕壓傳感器和所述溫度傳感器用于向外界輸出壓力信號和溫度信號；

制冷器，設置于所述陶瓷基座遠離所述硅漂移探測元件的一端，且至少包括兩層并聯耦接的半導體制冷結構層；所述半導體制冷結構層與所述陶瓷基座遠離所述硅漂移探測元件的一側緊貼，以形成熱傳遞結構。

2.根據權利要求1所述的硅漂移探測器的封裝結構，其特征在于，所述準直器為準直圓環結構，且所述準直圓環結構的外環邊設置有一個或多個缺口，所述缺口內設置有所述溫度傳感器或所述絕壓傳感器。

3.根據權利要求2所述的硅漂移探測器的封裝結構，其特征在于，所述準直器靠近所述入射窗口的一側還設置有隔熱絕緣墊片，所述隔熱絕緣墊片在硅漂移探測元件上的正投影面積小于或等于所述準直器在硅漂移探測元件上的正投影面積。

4.根據權利要求1-3任一項所述的硅漂移探測器的封裝結構，其特征在于，所述陶瓷基座為氮化硼陶瓷基座或氮化硅陶瓷基座；所述硅漂移探測元件貼裝于所述陶瓷基座的表面，且所述陶瓷基座的邊緣還設有多個電極焊點，所述電極焊點與所述硅漂移探測元件和所述放大器電連接，且電極焊點還連接有引出線，所述引出線用于向外界輸出信號，并提供所述硅漂移探測元件的工作電壓。

5.根據權利要求4所述的硅漂移探測器的封裝結構，其特征在于，所述絕壓傳感器和所述溫度傳感器的輸出端通過所述電極焊點向外界輸出壓力信號和溫度信號；

所述放大器包括場效應三極管，所述場效應三極管貼設于所述硅漂移探測元件的邊緣，且所述場效應三極管的輸入端與所述硅漂移探測元件的輸出端耦接，所述場效應三極管的輸出端與所述電極焊點耦接。

6.根據權利要求4所述的硅漂移探測器的封裝結構，其特征在于，所述陶瓷基座的轉角結構處設置所述凹槽，所述凹槽避讓所述電極焊點設計。

7.根據權利要求4所述的硅漂移探測器的封裝結構，其特征在于，所述電極焊點為金焊點；所述引出線為金引線。

8.根據權利要求7所述的硅漂移探測器的封裝結構，其特征在于，所述殼體遠離所述入射窗口的一端設置有殼體底座基板，所述殼體和所述殼體底座基板固定連接形成密封腔體，所述殼體底座基板上貫穿設置有引線柱，所述引線柱位于所述殼體內的部分與所述金引線固定連接，且所述引線柱與所述制冷器間隙設置；且所述殼體底座基板的外表面還設置有導熱柱，所述導熱柱設置于多根所述引線柱圍繞的中部。

9.根據權利要求8所述的硅漂移探測器的封裝結構，其特征在于，所述引線柱與所述殼體相交的部分填充燒結形成有玻璃釉結構層；所述引線柱套設有陶瓷管。

10.根據權利要求1所述的硅漂移探測器的封裝結構，其特征在于，所述絕壓傳感器為硅絕壓傳感器，所述溫度傳感器為鉑電阻溫度傳感器。