[實用新型]基片處理裝置有效
| 申請號: | 202222602219.1 | 申請日: | 2022-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN218602388U | 公開(公告)日: | 2023-03-10 |
| 發明(設計)人: | 相浦一博;天野嘉文 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳;劉芃茜 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 | ||
1.一種基片處理裝置,其特征在于,包括:
保持基片并使其旋轉的基片旋轉部;
外側杯狀體,其呈環狀地覆蓋被保持在所述基片旋轉部的所述基片的周圍;
內側杯狀體,其配置在所述外側杯狀體的內側,并且配置在被保持在所述基片旋轉部的所述基片的下方;
環狀排液部,其形成在所述外側杯狀體與所述內側杯狀體之間,將被供給至所述基片的處理液向外部排出;和
形成于所述內側杯狀體的內側的排氣通路,
所述內側杯狀體具有將由所述內側杯狀體和所述外側杯狀體形成的承液空間與所述排氣通路之間連通的排氣孔,
所述排氣孔從所述內側杯狀體的外表面向斜下方形成至內表面。
2.如權利要求1所述的基片處理裝置,其特征在于:
所述內側杯狀體包括:隨著去往外側而逐漸下降的傾斜部;和從所述傾斜部的外周端朝向所述環狀排液部在鉛垂方向上延伸的鉛垂部,
所述排氣孔配置在所述鉛垂部。
3.如權利要求2所述的基片處理裝置,其特征在于:
所述外側杯狀體具有內表面沿著所述內側杯狀體的所述傾斜部傾斜的上側環狀部件,
所述上側環狀部件的內表面包括俯視時在內周端具有給定寬度的疏水面和位于所述疏水面的外側的親水面。
4.如權利要求1至3中任一項所述的基片處理裝置,其特征在于:
還包括處理液噴嘴,所述處理液噴嘴能夠在水平方向上移動,能夠對被保持在所述基片旋轉部的所述基片供給處理液,
所述外側杯狀體具有為了能夠使所述處理液噴嘴在所述基片的周緣部上方的處理位置與比所述處理位置靠外側的待機位置之間移動而形成的開口部,
所述處理液噴嘴具有封閉所述開口部的至少一部分的覆蓋件。
5.如權利要求4所述的基片處理裝置,其特征在于:
所述覆蓋件具有側壁部和上壁部,
所述側壁部靠近所述處理液噴嘴的側部地配置,
所述上壁部配置在所述處理液噴嘴的上方。
6.如權利要求5所述的基片處理裝置,其特征在于:
所述側壁部在從所述基片旋轉部的中心觀察時配置在所述處理液噴嘴的外側,在所述處理液噴嘴處于所述處理位置的情況下,封閉所述開口部的至少一部分。
7.如權利要求5所述的基片處理裝置,其特征在于:
所述側壁部在從所述基片旋轉部的中心觀察時配置在所述處理液噴嘴的內側,在所述處理液噴嘴處于所述待機位置的情況下,封閉所述開口部的至少一部分。
8.如權利要求1至3中任一項所述的基片處理裝置,其特征在于:
所述外側杯狀體的內表面具有從最靠近所述基片的部位向外側水平地延伸的水平部。
9.如權利要求1至3中任一項所述的基片處理裝置,其特征在于:
還包括對所述環狀排液部供給清洗液的清洗液噴嘴,
所述環狀排液部在與設置所述清洗液噴嘴的位置相對的位置的底面具有排液口。
10.如權利要求9所述的基片處理裝置,其特征在于:
所述環狀排液部具有使得所述排液口位于最低處的傾斜部。
11.如權利要求9所述的基片處理裝置,其特征在于:
還包括控制各部的控制部,
所述控制部在利用處理液對前一所述基片進行了處理之后、利用處理液對下一所述基片進行處理之前,從所述清洗液噴嘴對所述環狀排液部供給清洗液。
12.如權利要求9所述的基片處理裝置,其特征在于:
還包括控制各部的控制部,
所述控制部在與從噴嘴對所述基片供給沖洗液的處理相同的時機,從所述清洗液噴嘴對所述環狀排液部供給清洗液。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





