[實用新型]一種耐高溫伽馬信號處理電路

有效

• 申請號: 202222279639.0
• 申請日: 2022-08-29
• 公開（公告）號: CN217925855U
• 公開（公告）日: 2022-11-29
• 發明（設計）人: 于法捧;張雷;宋信磊;嚴露肖;潘雅敏
• 申請（專利權）人: 青島海博瑞微電子研究所有限公司
• 主分類號: E21B49/00
• 分類號: E21B49/00;H02M1/00;G05F1/56
• 代理公司: 北京深川專利代理事務所(普通合伙) 16058
• 代理人: 楊鑫鑫

1.一種耐高溫伽馬信號處理電路，其特征在于，包括，穩壓供電電路、偏置電路、比較電路、整形電路和擴流電路；

所述穩壓供電電路用于輸出穩定電壓，并與偏置電路、比較電路、整形電路和擴流電路連接和供電；

所述偏置電路具有一信號輸入端口，偏置電路用于對輸入信號進行偏置；

所述偏置電路的輸出端與比較電路的一信號輸入端連接，所述比較電路用于濾除干擾信號，并輸出脈沖信號，其輸出端與整形電路連接；

所述整形電路用于調節輸出信號的脈寬，并與擴流電路連接，所述擴流電路連接有一信號輸出端口。

2.根據權利要求1所述的一種耐高溫伽馬信號處理電路，其特征在于，所述穩壓供電電路包括，第一電阻，所述第一電阻的一端為外部電源輸入端，且該端連接一MOS管的漏極，第一電阻的另一端連接一對穩壓二極管的正極和負極，以及所述MOS管的柵極，其中一穩壓二極管的正極接地，另一穩壓二極管的負極與MOS管的源極連接，所述MOS管的源極還連接第二電阻，第二電阻的另一端為供電端。

3.根據權利要求2所述的一種耐高溫伽馬信號處理電路，其特征在于，所述偏置電路包括，第一三級管，所述第一三級管的集電極與穩壓供電電路的供電端連接，第一三級管的基極分別連接一對二極管的正、負極和第三電阻、第四電阻的一端，所述第三電阻的另一端以及其中一二極管的負極與所述穩壓供電電路的供電端連接，另一二極管的正極以及第四電阻的另一端接地，所述第一三級管的發射極連接第一電容和第五電阻，所述第一電容的另一端為信號輸出端，所述第五電阻的另一端接地。

4.根據權利要求3所述的一種耐高溫伽馬信號處理電路，其特征在于，所述比較電路包括，基準電壓模塊、比較器、第二電容、第三電容、第四電容、第六電阻、第七電阻、第八電阻和第九電阻；

所述基準電壓模塊用于提供基準電壓，基準電壓模塊的輸出端通過第六電阻與比較器的同相輸入端連接，通過第七電阻和第八電阻構成的分壓電路與比較器的反向輸入端連接，基準電壓模塊的輸出端還通過第四電容接地；

所述比較器的同向輸入端與偏置電路的信號輸出端連接；

所述第二電容的一端與比較器的反向輸入端連接，另一端接地；

所述第三電容的一端與比較器的同向輸入端連接，另一端與比較器的輸出端連接；

所述第九電阻的一端與基準電壓模塊的輸出端連接，另一端與比較器的輸出端連接。

5.根據權利要求4所述的一種耐高溫伽馬信號處理電路，其特征在于，所述整形電路包括，整形模塊、第十電阻和第五電容，所述整形模塊與比較器的輸出端連接，所述第十電阻和第五電容與整形模塊連接，用于調整輸出信號的脈沖寬度。

6.根據權利要求5所述的一種耐高溫伽馬信號處理電路，其特征在于，所述擴流電路包括，第二三級管、第十一電阻、第十二電阻和第十三電阻；

所述第二三級管的基極與整形模塊和第十一電阻連接，所述第十一電阻的另一端與供電電路的供電端連接，所述第二三級管的集電極與第十二電阻和第十三電阻連接，第十二電阻的另一端與供電電路的供電端連接，所述第十三電阻的另一端連接信號輸出端口，所述第二三級管的發射極接地。