[實(shí)用新型]一種背結(jié)太陽能電池、光伏組件和電站有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202222244540.7 | 申請(qǐng)日: | 2022-08-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN218568850U | 公開(公告)日: | 2023-03-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 蔣秀林;陳斌 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 晶澳(揚(yáng)州)太陽能科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/068 | 分類號(hào): | H01L31/068;H01L31/0216 |
| 代理公司: | 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219 | 代理人: | 馮亞娥;楊倩 |
| 地址: | 225131 江*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 太陽能電池 組件 電站 | ||
本實(shí)用新型公開了一種背結(jié)太陽能電池、光伏組件和電站。該背結(jié)太陽能電池包括:硅基體;交替設(shè)置于硅基體的正面上的局部第一隧穿氧化層以及局部第一鈍化減反層;層疊于局部第一隧穿氧化層上的局部第一摻雜多晶硅層,形成前表面場(chǎng);與前表面場(chǎng)電連接的正面電極;交替設(shè)置于硅基體的背面上的局部第二隧穿氧化層以及局部第二鈍化減反層;層疊于第二局部隧穿氧化層上的局部第二摻雜多晶硅層,形成背結(jié);與背結(jié)電連接的背面電極。該背結(jié)太陽能電池有效地提高光電轉(zhuǎn)換效率。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種背結(jié)太陽能電池、光伏組件和電站。
背景技術(shù)
背結(jié)太陽能電池主要是指電池正面為表面場(chǎng),背面為PN結(jié)結(jié)構(gòu)的電池。目前,背結(jié)太陽能電池的正面或者背面的摻雜層一般是覆蓋整個(gè)硅基體的表面,這種整面覆蓋摻雜層的設(shè)計(jì),造成背結(jié)太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率較差。
實(shí)用新型內(nèi)容
有鑒于此,本實(shí)用新型提供一種背結(jié)太陽能電池、光伏組件和電站,該背結(jié)太陽能電池由于在硅基體的正面和背面上均設(shè)置對(duì)應(yīng)于電極的局部隧穿氧化層和局部摻雜多晶硅層,有效地降低了背結(jié)太陽能電池的金屬?gòu)?fù)合,并能夠降低硅基體表面載流子的俄歇復(fù)合,另外,通過鈍化減反射層與硅基體的表面直接接觸,可以有效地提高硅基體的光吸收,從而有效地提高背結(jié)太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。
為了解決上述技術(shù)問題,本實(shí)用新型提供以下技術(shù)方案:
第一方面,本實(shí)用新型提供一種背結(jié)太陽能電池,包括:
硅基體;
間隔設(shè)置于所述硅基體的正面且與所述正面直接接觸的多個(gè)局部第一隧穿氧化層以及多個(gè)局部第一鈍化減反層,其中,所述局部第一鈍化減反層與所述局部第一隧穿氧化層交替設(shè)置;
層疊于每一個(gè)所述局部第一隧穿氧化層上的局部第一摻雜多晶硅層,形成前表面場(chǎng);
與所述前表面場(chǎng)電連接的正面電極;
間隔設(shè)置于所述硅基體的背面上的多個(gè)局部第二隧穿氧化層以及多個(gè)局部第二鈍化減反層,其中,所述局部第二鈍化減反層與所述局部第二隧穿氧化層交替設(shè)置;
層疊于每一個(gè)所述局部第二隧穿氧化層上的局部第二摻雜多晶硅層,形成背面PN結(jié);
與所述背結(jié)電連接的背面電極。
第二方面,本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種光伏組件,包括:由上述第一方面實(shí)施例提供的背結(jié)太陽能電池制成的電池片。
第三方面,本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種電站,包括:上述第二方面實(shí)施例提供的光伏組件。
上述實(shí)用新型的第一方面的技術(shù)方案具有如下優(yōu)點(diǎn)或有益效果:
本實(shí)用新型提供的背結(jié)太陽能電池,由于在硅基體的正面和背面上均設(shè)置對(duì)應(yīng)于電極的局部隧穿氧化層和局部摻雜多晶硅層,即間隔設(shè)置于硅基體的正面上的多個(gè)局部第一隧穿氧化層以及層疊于每一個(gè)局部第一隧穿氧化層上的局部第一摻雜多晶硅層,形成前表面場(chǎng),正面電極與前表面場(chǎng)電連接,間隔設(shè)置于硅基體的背面上的多個(gè)局部第二隧穿氧化層,層疊于每一個(gè)局部第二隧穿氧化層上的局部第二摻雜多晶硅層,形成背面PN結(jié);背面電極與PN結(jié)電連接,可以有效地降低了背結(jié)太陽能電池的金屬?gòu)?fù)合,并能夠降低硅基體表面載流子的俄歇復(fù)合。另外,通過鈍化減反射層與硅基體的表面直接接觸,即間隔設(shè)置于硅基體的正面上的多個(gè)局部第一鈍化減反層,即局部第一鈍化減反層與局部第一隧穿氧化層交替設(shè)置,間隔設(shè)置于硅基體的背面上的多個(gè)局部第二鈍化減反層,即局部第二鈍化減反層與局部第二隧穿氧化層交替設(shè)置,可以有效地提高硅基體的光吸收,從而有效地提高背結(jié)太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。
附圖說明
圖1是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例提供的背結(jié)太陽能電池第一種結(jié)構(gòu)的剖面示意圖;
圖2是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例提供的背結(jié)太陽能電池第二種結(jié)構(gòu)的剖面示意圖;
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





