[實用新型]一種OLED面板LTPO新型背板結構有效
| 申請號: | 202222123044.6 | 申請日: | 2022-08-12 |
| 公開(公告)號: | CN217822818U | 公開(公告)日: | 2022-11-15 |
| 發明(設計)人: | 楊遠直;羅敬凱;賈浩 | 申請(專利權)人: | 福建華佳彩有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 福州君誠知識產權代理有限公司 35211 | 代理人: | 戴雨君 |
| 地址: | 351100 福*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 oled 面板 ltpo 新型 背板 結構 | ||
1.一種OLED面板LTPO新型背板結構,包括基板(1),其特征在于:所述基板(1)的頂部鍍有一層金屬層M0(2),所述金屬層M0(2)上覆蓋設置有絕緣層PV1(3),所述絕緣層PV1(3)上開設有VIA1洞,所述絕緣層PV1(3)上設置有Poly半導體層(5),所述Poly半導體層(5)的兩側設置有P+層(4),且P+層(4)覆蓋在其余部分的絕緣層PV1(3)上,所述P+層(4)和Poly半導體層(5)的頂部覆蓋有GI層(6),所述GI層(6)上鍍有金屬層M1(7),且與P+層(4)形成儲存電容Cst,所述GI層(6)和金屬層M1(7)上覆蓋設置有一層絕緣層PV2(8),所述金屬層M0(2)鍍膜形成IGZO半導體層;所述IGZO半導體層上分別鍍有GI層和金屬層M2,所述金屬層M2和IGZO半導體層的外側覆蓋有絕緣層PV3(9),所述絕緣層PV3(9)上開設有VIA3洞,所述絕緣層PV3(9)上鍍有多個金屬層M3,一個所述金屬層M3為開關TFT的Source、Drain極,Drain極與IGZO半導體層相連,Source極和金屬層M1(7)相連,第二個所述金屬層M3與IGZO半導體層的另一端相連,所述金屬層M3上覆蓋設置有一層有機平整層OC(10),所述有機平整層OC(10)上開設有OC洞,所述有機平整層OC(10)上鍍有陽極金屬層Anode(12),且陽極金屬層Anode(12)與第三個金屬層M3相連,第三個金屬層M3相連的另一端與P+層(4)相連,所述有機平整層OC(10)上覆蓋有一層畫素定義層PDL(11),所述畫素定義層PDL(11)與陽極金屬層Anode(12)對應處設置有開口。
2.根據權利要求1所述的一種OLED面板LTPO新型背板結構,其特征在于:所述金屬層M0(2)為OVDD訊號層,所述金屬層M2為柵極層。
3.根據權利要求1所述的一種OLED面板LTPO新型背板結構,其特征在于:所述P+層(4)與Poly半導體層(5)的頂部表面處于同一水平面高度,且Poly半導體層(5)為P+層(4)的中間位置。
4.根據權利要求1所述的一種OLED面板LTPO新型背板結構,其特征在于:所述GI層將金屬層M2柵極與IGZO半導體層隔開,Scan訊號通過金屬層M2送入。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





