[實用新型]量子芯片、諧振腔和共面波導

有效

• 申請號: 202221690599.2
• 申請日: 2022-06-30
• 公開（公告）號: CN217562798U
• 公開（公告）日: 2022-10-11
• 發明（設計）人: 張輝;李松;李業;賈健豪
• 申請（專利權）人: 合肥本源量子計算科技有限責任公司
• 主分類號: H01P3/00
• 分類號: H01P3/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種共面波導，其特征在于，包括：

介質襯底，定義有介質表面，所述襯底配置有從所述介質表面凹陷形成的凹槽以及分布于所述凹槽的延伸軌跡的兩側且共面于所述介質表面的第一側表面和第二側表面：

中心導帶，設置于所述凹槽內；

第一導帶，配置于所述第一側表面；以及

第二導帶，配置于所述第二側表面。

2.根據權利要求1所述的共面波導，其特征在于，所述凹槽具有依次連接的第一側壁、底壁和第二側壁，從而使所述凹槽的橫截面的形狀為U型；

或者，所述凹槽具有依次連接的第一側壁、底壁和第二側壁，從而使所述凹槽的橫截面的形狀為U型，且所述中心導帶位于所述凹槽的底壁；

或者，以所述凹槽的延伸軌跡為對稱軸，所述第一導帶和所述第二導帶對稱分布于所述延伸軌跡的兩側；

或者，所述凹槽具有連接的第一側壁和第二側壁，所述第一側壁與所述第一側表面具有第一交界線，所述第二側壁與所述第二側表面具有第二交界線，所述第一導帶與所述第一交界線之間具有第一間隙，所述第二導帶與所述第二交界線之間具有第二間隙。

3.根據權利要求1所述的共面波導，其特征在于，所述凹槽具有連接的第一側壁和第二側壁；

所述第一側壁與所述第一側表面具有第一交界線，所述第二側壁與所述第二側表面具有第二交界線；

所述第一導帶與所述第一交界線之間具有第一間隙，所述第二導帶與所述第二交界線之間具有第二間隙；

所述凹槽還具有底壁，所述第一側壁、所述底壁以及所述第二側壁依次連接。

4.根據權利要求3所述的共面波導，其特征在于，所述第一間隙的寬度與所述第二間隙的寬度相等。

5.根據權利要求1所述的共面波導，其特征在于，所述凹槽具有依次連接的第一側壁、底壁和第二側壁，從而使所述凹槽的橫截面的形狀為U型；

所述凹槽具有由相對于所述介質表面的凹陷距離所定義的深度尺寸，以及在所述凹槽的橫截面和所述介質表面相交的界線所界定且表征所述第一側壁至第二側壁的距離的寬度尺寸；

所述深度尺寸和所述寬度尺寸相等。

6.根據權利要求5所述的共面波導，其特征在于，所述深度尺寸為4微米，所述寬度尺寸為4微米。

7.一種諧振腔，其特征在于，采用傳輸線制作而成，且所述傳輸線具有權利要求1至6中任意一項所述的共面波導的結構。

8.根據權利要求7所述的諧振腔，其特征在于，所述傳輸線是呈蜿蜒曲折狀延伸的；

和/或，所述諧振腔是1/2波長諧振腔或1/4波長諧振腔。

9.一種量子芯片，其特征在于，包括：

總線；

量子比特，具有比特電容；以及

諧振腔，所述諧振腔的兩端分別與所述總線和所述比特電容耦合；

所述總線和所述諧振腔中的任意一者或兩者采用根據權利要求1至6中任意一項所述的共面波導制作而成。

10.根據權利要求9所述的量子芯片，其特征在于，所述總線和所述量子比特共用所述諧振腔的介質襯底；

或者，所述總線和所述量子比特共用所述的諧振腔的介質襯底，且所述總線和所述比特電容分別從所述介質表面下沉到所述介質襯底的內部；

或者，所述比特電容為十字電容。