[實用新型]雙鋁鋁柵反相器及鋁柵反相器

有效

• 申請號: 202221685143.7
• 申請日: 2022-07-01
• 公開（公告）號: CN217719600U
• 公開（公告）日: 2022-11-01
• 發明（設計）人: 張薇;朱恒宇;邢康偉
• 申請（專利權）人: 北京銳達芯集成電路設計有限責任公司
• 主分類號: H01L27/092
• 分類號: H01L27/092;H01L23/528;H01L23/532
• 代理公司: 北京眾元弘策知識產權代理事務所(普通合伙) 11462
• 代理人: 李超

1.一種雙鋁鋁柵反相器，包括一組PMOS管和NMOS管，PMOS管和NMOS管的柵極并接作為反相器的輸入端，PMOS管和NMOS管的漏極串接作為反相器的輸出端，PMOS管的源極接最高電位，NMOS管的源極接最低電位，其特征在于，PMOS管和NMOS管之間的電連接采用第一鋁層布線，輸入端和輸出端的引出采用第二鋁層布線，兩鋁層之間以絕緣介質層分隔，并以貫穿于絕緣介質層的接觸孔實現電連接。

2.如權利要求1所述的雙鋁鋁柵反相器，其特征在于，PMOS管的源極通過第一鋁層布線與最高電位VDD相連接，NMOS管的源極通過第一鋁層布線與最低電位GND相連接；PMOS管的柵極和NMOS管的柵極通過第一鋁層布線相連接，并通過接觸孔連接至第二鋁層布線，作為反相器的輸入端；PMOS管的漏極和NMOS管的漏極通過第一鋁層連接，并通過接觸孔連接至第二鋁層布線，作為反相器的輸出端。

3.如權利要求1所述的雙鋁鋁柵反相器，其特征在于，PMOS管的柵極和NMOS管的柵極相互平行設置，或者位于同一條直線上。

4.如權利要求3所述的雙鋁鋁柵反相器，其特征在于，PMOS管的柵極和NMOS管的柵極位于同一條直線上時，平行于柵的走線設置于第一鋁層，垂直于柵的走線設置于第二鋁層。

5.如權利要求1所述的雙鋁鋁柵反相器，其特征在于，PMOS管和NMOS管有源區外周各自設置有電源環，所述電源環為形成于襯底中的摻雜區，所述摻雜區中設有若干個電源環接觸孔，所述摻雜區上設置有所述第一鋁層布線，所述第一鋁層布線與所述電源環接觸孔電性連接，且所述第一鋁層布線與對應的源極電性連接。

6.如權利要求5所述的雙鋁鋁柵反相器，其特征在于，所述源極和漏極分別通過對應的源漏區接觸孔與第一鋁層布線電連接，且所述源漏區接觸孔與柵極的距離均為第一預設值，所述源漏區接觸孔與所述電源環接觸孔的距離均為第二預設值。

7.如權利要求1-6任一項所述的雙鋁鋁柵反相器，其特征在于，PMOS管和NMOS管為對稱設置；和/或，第二鋁層布線設置于所述雙鋁鋁柵反相器布圖的中間區域。

8.如權利要求1所述的雙鋁鋁柵反相器，其特征在于，所述絕緣介質層為氮化硅層。

9.一種鋁柵反相器，其特征在于，包括多個并聯的如權利要求1-8之一所述的雙鋁鋁柵反相器。

10.如權利要求9所述的鋁柵反相器，其特征在于，所述并聯的雙鋁鋁柵反相器是4個。