[實用新型]柵線結構、太陽能電池片、電池組件和光伏系統有效
| 申請號: | 202221668765.9 | 申請日: | 2022-06-30 |
| 公開(公告)號: | CN218482251U | 公開(公告)日: | 2023-02-14 |
| 發明(設計)人: | 呂錦滇;黎景宇;陳剛 | 申請(專利權)人: | 浙江愛旭太陽能科技有限公司;天津愛旭太陽能科技有限公司;廣東愛旭科技有限公司;珠海富山愛旭太陽能科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/02;H01L31/05 |
| 代理公司: | 深圳盛德大業知識產權代理事務所(普通合伙) 44333 | 代理人: | 張紅偉 |
| 地址: | 322000 浙江省*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 結構 太陽能電池 電池 組件 系統 | ||
本實用新型適用于太陽能電池技術領域,提供了一種柵線結構、太陽能電池片、電池組件和光伏系統,柵線結構包的主柵包括沿第一方向間隔設置的第一鋁主柵線和第二鋁主柵線,銀電極設置在第一鋁主柵線和第二鋁主柵線之間,第一鋁匯流點位于相鄰兩個銀電極之間,焊接條與銀電極焊接且支撐在第一鋁匯流點上并與第一鋁匯流點導電連接。如此,在相鄰的銀電極之間設置至少第一鋁匯流點可以在對焊接條進行支撐并進行匯流,這樣,兩個銀電極之間的間隔距離可以設置得較寬以減少銀電極的數量從而減少銀漿的耗費。第一鋁匯流點的設置的位置只存在鋁漿,漿料的腐蝕性較弱,對背面的鈍化膜的破壞性較弱,從而可減少該區域的金屬復合以提高太陽能電池片的效率。
技術領域
本實用新型涉及太陽能電池技術領域,尤其涉及一種柵線結構、太陽能電池片、電池組件和光伏系統。
背景技術
PERC太陽能電池片背面的柵線結構通常包括鋁主柵、副柵和銀電極,副柵和主柵相互垂直設置,在相關技術中,為了避免在焊接時出現虛焊,通常將與銀電極相連接的鋁主柵設計成兩個間隔設置得鋁主柵線,將銀電極設置在兩個鋁主柵線之間,然而,電池片的背面通常需要設置較多的銀電極,導致銀漿的耗費量較高,成本較高,并且,在銀電極的區域存在銀鋁混合漿料,其腐蝕性較強,導致該所有銀電極區域的金屬復合較強而影響太陽能電池片的效率。
實用新型內容
本實用新型提供一種柵線結構、太陽能電池片、電池組件和光伏系統,旨在解決現有技術中太陽能電池片的銀電極銀漿耗費較多導致成本較高以及銀電極區域的金屬復合較強而影響太陽能電池片的效率的技術問題。
本實用新型是這樣實現的,本實用新型實施例中的柵線結構用于太陽能電池片,所述柵線結構包括:
主柵,所述主柵包括沿第一方向間隔設置的第一鋁主柵線和第二鋁主柵線,所述第一鋁主柵線和所述第二鋁主柵線沿第二方向延伸,所述第二方向與所述第一方向交叉;
連接所述主柵的副柵;和
多個銀電極,所述銀電極設置在所述第一鋁主柵線和所述第二鋁主柵線之間且與所述第一鋁主柵線和所述第二鋁主柵線導電連接,多個所述銀電極沿所述第二方向間隔設置,所述銀電極用于焊接焊接條;
至少一個第一鋁匯流點,所述第一鋁匯流點也設置在所述第一鋁主柵線和所述第二鋁主柵線之間且與所述第一鋁主柵線和所述第二鋁主柵線導電連接,所述第一鋁匯流點位于相鄰兩個所述銀電極之間,所述焊接條支撐在所述第一鋁匯流點上且與所述第一鋁匯流點導電連接。
更進一步地,相鄰兩個所述銀電極之間均設置有至少一個所述第一鋁匯流點。
更進一步地,所述副柵包括沿所述第二方向均勻間隔排列的多根第一鋁副柵線,所述第一鋁副柵線沿所述第一方向延伸且接在所述主柵的兩側;
其中,相鄰兩個所述銀電極之間的距離為相鄰兩根所述第一鋁副柵線之間的距離的M倍,M為正整數且5≤M≤15;
所述第一鋁匯流點與相鄰的所述銀電極之間的距離為相鄰兩根所述第一鋁副柵線之間的距離的N倍,N為正整數且2≤N≤10。
更進一步地,所述副柵包括多跟第一鋁副柵線和至少一根第二鋁副柵線,所述第一鋁副柵線沿所述第二方向均勻間隔排列且連接在所述主柵的兩側,所述第二鋁副柵線連接在所述第一鋁主柵線和所述第二鋁主柵線之間且位于相鄰兩個所述銀電極之間。
更進一步地,所述第一鋁匯流點的高度大于或者等于所述銀電極的高度,所述銀電極小于所述第一鋁主柵線和所述第二鋁主柵線的高度。
更進一步地,所述銀電極的數量大于或者等于3個。
更進一步地,所述柵線結構還包括第二鋁匯流點,所述第一鋁主柵線和所述第二鋁主柵線的兩端均設置有所述第二鋁匯流點,所述第二鋁匯流點分別與所述第一鋁主柵線和所述第二鋁主柵線導電連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





