[實(shí)用新型]一種P型溝道氮化鎵器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202221668450.4 | 申請日： | 2022-06-29 |
| 公開（公告）號： | CN217606807U | 公開（公告）日： | 2022-10-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李波;楊紅;張禹晨;王凱 | 申請（專利權(quán)）人： | 西安電子科技大學(xué) |
| 主分類號： | H01L23/367 | 分類號： | H01L23/367;H01L23/31 |
| 代理公司： | 湖北唯邁知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 42314 | 代理人： | 王繼云 |
| 地址： | 710071*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 溝道 氮化 器件 | ||
1.一種P型溝道氮化鎵器件，包括氮化鎵襯底(1)，其特征在于：所述氮化鎵襯底(1)的表面固定有氮化鎵鋁緩沖層(2)，氮化鎵鋁緩沖層(2)遠(yuǎn)離氮化鎵襯底(1)的一面固定有P型氮化鎵層(3)，在P型氮化鎵層(3)遠(yuǎn)離氮化鎵鋁緩沖層(2)的表面兩端固定有兩個電極(4)，所述電極(4)采用引線(6)與引腳(7)連接；
所述氮化鎵襯底(1)遠(yuǎn)離氮化鎵鋁緩沖層(2)的表面與散熱基島(5)固定連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種P型溝道氮化鎵器件，其特征在于：部分所述散熱基島(5)的表面裸露于氮化鎵器件的外部。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種P型溝道氮化鎵器件，其特征在于：所述散熱基島(5)的外表面設(shè)有與外部獨(dú)立散熱裝置的接口(8)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種P型溝道氮化鎵器件，其特征在于：所述氮化鎵襯底(1)、氮化鎵鋁緩沖層(2)、P型氮化鎵層(3)、電極(4)、引線(6)、引腳(7)以及散熱基島(5)的外部通過塑封材料(9)封裝成一個整體結(jié)構(gòu)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于西安電子科技大學(xué)，未經(jīng)西安電子科技大學(xué)許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202221668450.4/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 導(dǎo)電化合物上的大晶粒低電阻率鎢
- 基于六方氮化硼和磁控濺射氮化鋁的氮化鎵生長方法
- 一種氮化鋁復(fù)合緩沖層及制備方法及氮化鎵基半導(dǎo)體器件
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動元件與其制作方法
- 一種氮化鋁復(fù)合緩沖層及氮化鎵基半導(dǎo)體器件
- 連續(xù)氮化處理爐和連續(xù)氮化處理方法
- 一種氮化雙向供氣裝置以及氮化雙向供氣系統(tǒng)
- 一種氮化雙向供氣裝置以及氮化雙向供氣系統(tǒng)
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動元件與其制作方法
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動元件與其制作方法
