[實用新型]一種電池片浸泡式去膜裝置有效
| 申請號: | 202221667665.4 | 申請日: | 2022-06-29 |
| 公開(公告)號: | CN217485469U | 公開(公告)日: | 2022-09-23 |
| 發明(設計)人: | 姚宇;李中天;黃勇 | 申請(專利權)人: | 蘇州太陽井新能源有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103 | 代理人: | 陳婷婷 |
| 地址: | 215127 江蘇省蘇州*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 電池 浸泡 式去膜 裝置 | ||
本實用新型公開了一種電池片浸泡式去膜裝置,所述去膜裝置包括用于固定承載電池片的載具、具有能夠容置所述載具的去膜腔的去膜槽,所述去膜裝置還包括能夠朝特定的方向噴射去膜液的噴液機構,和/或,能夠沿特定的方向產生氣體以在去膜液中形成鼓泡的鼓泡機構,和/或,能夠將所述去膜腔內的去膜液自所述載具的上方溢流至所述去膜腔外的溢流機構。在去膜的過程中也僅需傳輸載具即可對電池片予以傳輸,避免了電池片在去膜過程中造成的產生隱裂、碎片或劃傷等風險,提升了電池片的良率。
技術領域
本實用新型涉及光伏電池片生產領域,具體涉及一種電池片浸泡式去膜裝置。
背景技術
在“碳中和”的大背景下,將進一步促進光伏發電技術的廣泛和大規模應用。對于電池片(光伏硅片)上的金屬柵線制造,目前的主流工藝是利用絲網印刷工藝將導電銀漿印刷到電池片上之后燒結的方法,但是導電銀漿成本較高。為了降低工藝成本,使得成本較低的鍍銅工藝制作金屬柵線的方法得以大規模產業化。鍍銅工藝制作金屬柵線需要先在電池片的表面形成掩膜,再對掩膜進行開口,然后將銅金屬沉積到掩膜開口內以形成金屬柵線,最后去除掩膜。
現有技術中,電池片上的金屬柵線制備完成后,通常是采用鏈式傳輸設備來輸送電池片,在輸送過程中向電池片上的掩膜噴灑去膜液以去除掩膜。然而,由于電池片具有較薄、易碎的特性,以及具有越來越薄的趨勢,鏈式傳輸會帶來電池片隱裂甚至碎片的風險,尤其是對于厚度低于120um的電池片而言,碎片風險更大;再者傳輸過程中使用的滾輪與電池片表面接觸也會產生劃傷電池片的風險,導致電池片良率降低。
另一方面,現有技術中,也存在去除電池片表面介質層的方法和設備,這種介質層屬于電池片表面的功能層,厚度為100nm左右,一般是因為鍍膜異常導致介質層質量問題,因此需要去除介質層后再重新鍍膜生成合格的介質層。例如,中國專利CN211479986U公開了一種去膜裝置,中國專利CN112670166A公開了一種PERC電池PECVD鍍膜不良片的返工清洗方法,這些專利中去除的是電池片上的不良介質層。
而掩膜為電池片生產過程中的需要去除的輔助層,掩膜的材料一般無法完全溶解,使得掩膜溶解過程中產生掩膜碎片,部分掩膜碎片為懸浮物,在去膜液中將載具及電池片從懸浮在其周圍的掩膜碎片中提取,避免掩膜碎片粘附在載具及電池片上,存在較大困難。
發明內容
本實用新型的目的是提供一種電池片浸泡式去膜裝置,以降低電池片去膜過程中被損傷的風險,提升電池片的良率。
為達到上述目的,本實用新型采用的技術方案是:一種電池片浸泡式去膜裝置,所述去膜裝置包括用于固定承載電池片的載具、具有能夠容置所述載具的去膜腔的去膜槽,所述去膜裝置還包括能夠朝特定的方向噴射去膜液的噴液機構,和/或,能夠沿特定的方向產生氣體以在去膜液中形成鼓泡的鼓泡機構,和/或,能夠將所述去膜腔內的去膜液自所述載具的上方溢流至所述去膜腔外的溢流機構。
在一些實施例中,所述噴液機構/所述鼓泡機構設置有一組或多組,所述噴液機構/所述鼓泡機構貼近所述去膜槽的底部槽壁設置和/或貼近所述去膜槽的側壁設置。
在一些實施例中,所述電池片在所述載具上沿上下方向延伸,所述載具上設置有用于固定安裝所述電池片的定位槽,所述電池片的底邊部、沿上下方向延伸的兩個側邊部分別卡設在所述定位槽中,所述定位槽具有沿同一直線方向間隔分布的多個。
進一步地,所述噴液機構的噴射方向垂直于所述底邊部和/或垂直于所述側邊部;所述鼓泡機構產生氣體的方向垂直于所述底邊部和/或垂直于所述側邊部。
在一些實施例中,所述載具上還設置有鏤空孔,所述鏤空孔與所述定位槽相互連通。
在一些實施例中,所述溢流機構包括溢流閥、與所述溢流閥相互連通的溢流管,所述溢流管位于所述去膜腔外,所述溢流閥與所述去膜腔相互連通,當載有所述電池片的所述載具放置在所述去膜腔中的工作位置時,所述溢流閥的溢流口在豎直方向上高于所述載具中所述電池片的最高點。
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H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





