[實用新型]晶圓機臺有效
| 申請號: | 202221613281.4 | 申請日: | 2022-06-24 |
| 公開(公告)號: | CN217719558U | 公開(公告)日: | 2022-11-01 |
| 發明(設計)人: | 吳炎森;曹煒 | 申請(專利權)人: | 杭州富芯半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/687 | 分類號: | H01L21/687;H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 丁俊萍;王律強 |
| 地址: | 310000 浙江省杭州*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 機臺 | ||
1.一種晶圓機臺(1),其用于晶圓(2)的快速熱退火工藝過程,其特征在于,包括:
邊緣環(10),其和所述晶圓(2)之間存在粘合力,所述邊緣環(10)受到豎直向下的合力大于所述粘合力;
支撐套(11),其一端和所述邊緣環(10)連接,所述支撐套(11)位于所述邊緣環(10)的下方;
驅動機構(12),其抵接所述支撐套(11)的另一端,所述驅動機構(12)用于驅動所述支撐套(11)旋轉;
卡扣(13),其一端連接所述驅動機構(12),所述卡扣(13)同時扣接所述支撐套(11);以及
頂針(14),其用于將所述晶圓(2)頂出所述邊緣環(10)。
2.根據權利要求1所述的晶圓機臺(1),其特征在于,所述合力為所述邊緣環(10)的重力、所述支撐套(11)的重力以及所述卡扣(13)和所述支撐套(11)之間的摩擦力共同作用產生。
3.根據權利要求2所述的晶圓機臺(1),其特征在于,所述邊緣環(10)包括凹陷部(100),所述凹陷部(100)設置于所述邊緣環(10)的內側,所述晶圓(2)設置于所述凹陷部(100)上。
4.根據權利要求3所述的晶圓機臺(1),其特征在于,所述邊緣環(10)為圓環狀,所述凹陷部(100)為圓形,且所述凹陷部(100)和所述邊緣環(10)同軸設置。
5.根據權利要求4所述的晶圓機臺(1),其特征在于,所述支撐套(11)為圓環狀,所述支撐套(11)和所述邊緣環(10)同軸設置。
6.根據權利要求1所述的晶圓機臺(1),其特征在于,所述邊緣環(10)和所述支撐套(11)通過鉸鏈連接。
7.根據權利要求1所述的晶圓機臺(1),其特征在于,所述邊緣環(10)和所述支撐套(11)為一體成型。
8.根據權利要求7所述的晶圓機臺(1),其特征在于,所述邊緣環(10)為在所述支撐套(11)上生成的SiC延伸層。
9.根據權利要求8所述的晶圓機臺(1),其特征在于,還包括反射板(15),其位于所述支撐套(11)的內側,且所述反射板(15)位于所述邊緣環(10)的下方,所述頂針(14)設置于所述反射板(15)。
10.根據權利要求9所述的晶圓機臺(1),其特征在于,所述反射板(15)為圓柱形,所述頂針(14)設置于所述反射板(15)的中間。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





