[實用新型]一種增強型MOS管的軟啟動控制電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202221567315.0 | 申請日： | 2022-06-22 |
| 公開（公告）號： | CN217590247U | 公開（公告）日： | 2022-10-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 馬東軍;張?zhí)炝?/a> | 申請（專利權(quán)）人： | 西安希德電子信息技術(shù)股份有限公司 |
| 主分類號： | H02H7/20 | 分類號： | H02H7/20;H02H9/02 |
| 代理公司： | 西安銘澤知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 61223 | 代理人： | 薛俊波 |
| 地址： | 710100 陜西省西安市國家民*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 增強 mos 啟動 控制電路 | ||
1.一種增強型MOS管的軟啟動控制電路，其特征在于，包括：
與MCU連接的電阻R83，電阻R83的另一端與三極管Q2的B極連接，三極管Q2的E極接地，在三極管Q2的B極與E極之間并聯(lián)有電阻R85與電容C116，且電阻R85與電容C116為并聯(lián)關(guān)系，三極管Q2的C極連接于電阻R81，電阻R77的一端與電阻R79和電阻R81相連接，電阻R77的另一端連接于母線電壓；增強型MOS管Q1的S極連接于母線電壓，G極與電阻R79的另一端相連接，D極與連接器J14連接，連接器J14的另一端接地；
在電阻R81與電阻R77之間連接有電阻R285的一端，電阻R285的另一端與電容C199相連接，C199的另一端與增強型MOS管Q1的D極相連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種增強型MOS管的軟啟動控制電路，其特征在于，
所述增強型MOS管Q1的D極連接于所述連接器J14的1、2管腳，所述連接器J14的3、4管腳接地。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種增強型MOS管的軟啟動控制電路，其特征在于，
所述電阻R285的阻值為1kohm，
所述電容C199的容值為0.1uF，
根據(jù)具體型號的增強型MOS管G極-D極之間的寄生電容參數(shù)Crss確定所述電阻R285與電容C199的值。
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