[實(shí)用新型]一種TVS器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202221264139.3
• 申請(qǐng)日: 2022-05-25
• 公開（公告）號(hào): CN219497800U
• 公開（公告）日: 2023-08-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄧亦舟
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市利堃微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/02
• 分類號(hào): H01L27/02;H01L29/06
• 代理公司: 蘇州大成君合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32547
• 代理人: 張伯坤

1.一種TVS器件，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底上形成有溝槽隔離結(jié)構(gòu)，所述溝槽隔離結(jié)構(gòu)圍成一有源區(qū)，所述有源區(qū)具有第一導(dǎo)電類型；

第一環(huán)形摻雜區(qū)，位于所述有源區(qū)內(nèi)；

第二環(huán)形摻雜區(qū)，位于所述第一環(huán)形摻雜區(qū)的環(huán)形內(nèi)，其中所述第一環(huán)形摻雜區(qū)與所述第二環(huán)形摻雜區(qū)均具有第一導(dǎo)電類型；

第一二極管，形成于所述第一環(huán)形摻雜區(qū)與所述第二環(huán)形摻雜區(qū)的中間；

第二二極管，形成于所述第二環(huán)形摻雜區(qū)的環(huán)形內(nèi)，與所述第一二極管形成串聯(lián)結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述的TVS器件，其特征在于，所述第一環(huán)形摻雜區(qū)與所述第二環(huán)形摻雜區(qū)在非襯底表面位置處連通。

3.如權(quán)利要求2所述的TVS器件，其特征在于，所述第一二極管包括第三環(huán)形摻雜區(qū)，所述第三環(huán)形摻雜區(qū)具有第二導(dǎo)電類型。

4.如權(quán)利要求3所述的TVS器件，其特征在于，所述第一二極管還包括第四環(huán)形摻雜區(qū)，所述第四環(huán)形摻雜區(qū)具有第一導(dǎo)電類型，其在襯底表面的投影與所述第三環(huán)形摻雜區(qū)的投影重疊，且所述第四環(huán)形摻雜區(qū)的投影包括所述第三環(huán)形摻雜區(qū)的投影。

5.如權(quán)利要求4所述的TVS器件，其特征在于，所述第二二極管包括第五摻雜區(qū)，所述第五摻雜區(qū)具有第二導(dǎo)電類型，且位于所述第二環(huán)形摻雜區(qū)的環(huán)形內(nèi)。

6.如權(quán)利要求5所述的TVS器件，其特征在于，還包括第一引出電極，與所述第三環(huán)形摻雜區(qū)電連接。

7.如權(quán)利要求6所述的TVS器件，其特征在于，還包括第二引出電極，與所述第五摻雜區(qū)電連接。

8.如權(quán)利要求7所述的TVS器件，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型為P型，所述第二導(dǎo)電類型為N型。

9.如權(quán)利要求8所述的TVS器件，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型為N型，所述第二導(dǎo)電類型為P型。

10.如權(quán)利要求9所述的TVS器件，其特征在于，所述襯底為SOI襯底，所述溝槽隔離結(jié)構(gòu)與所述SOI襯底的絕緣層連接。