[實用新型]一種屏蔽柵溝槽型功率MOSFET器件

有效

• 申請號: 202221211700.1
• 申請日: 2022-05-17
• 公開（公告）號: CN218351448U
• 公開（公告）日: 2023-01-20
• 發明（設計）人: 談益民
• 申請（專利權）人: 江蘇東海半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/04;H01L29/78
• 代理公司: 無錫風創知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32461
• 代理人: 邱國棟

本實用新型涉及MOSFET器件技術領域，且公開了一種屏蔽柵溝槽型功率MOSFET器件，包括器件本體，所述器件本體表面的兩側均固定連接有固定板，且兩個固定板之間固定連接有若干散熱鰭片，所述器件本體的表面設置有防護殼，所述防護殼的表面開設有若干散熱槽，所述防護殼的左右兩側均開設有限位孔，所述防護殼的底部設置有連接板，所述連接板的底部固定連接有若干引腳防護套，所述連接板頂部的左右兩側均開設有限位槽；本實用新型可以對MOSFET器件和引腳進行保護，避免受到外界因素而發生破損，同時還可以對其進行散熱處理，并提高其的使用壽命，解決了目前的MOSFET器件不方便進行散熱，且無法對MOSFET器件和其的引腳進行保護的問題。

技術領域

本實用新型涉及MOSFET器件技術領域，具體為一種屏蔽柵溝槽型功率MOSFET器件。

背景技術

金屬－氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同，可分為“N型”與“P型”的兩種類型。

現有的屏蔽槽柵功率MOSFET器件焊接在電路板上時，由于屏蔽槽柵功率MOSFET器件和電路板緊密接觸，導致其散熱效率低下，容易造成電路板的損壞，同時MOSFET器件在不使用時，其若受外界碰撞后，引腳容易受到損壞，無法對其器件和引腳進行有效保護。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種屏蔽柵溝槽型功率MOSFET器件，可以對MOSFET器件和引腳進行保護，避免受到外界因素而發生破損，同時還可以對其進行散熱處理，并提高其的使用壽命，解決了目前的MOSFET器件不方便進行散熱，且無法對MOSFET器件和其的引腳進行保護的問題。

為實現上述目的，本實用新型提供如下技術方案：一種屏蔽柵溝槽型功率MOSFET器件，包括器件本體，所述器件本體表面的兩側均固定連接有固定板，且兩個固定板之間固定連接有若干散熱鰭片，所述器件本體的表面設置有防護殼，所述防護殼的表面開設有若干散熱槽，所述防護殼的左右兩側均開設有限位孔，所述防護殼的底部設置有連接板，所述連接板的底部固定連接有若干引腳防護套，所述連接板頂部的左右兩側均開設有限位槽，且限位槽的內部設置有彈簧，所述彈簧的另一端固定連接有限位板，所述限位板的另一側固定連接有限位桿，所述限位桿的另一端固定連接有限位球，所述限位球與限位孔的內部配合使用。

優選的，所述限位槽內腔的前后方均開設有滑槽，所述限位板的前后方均固定連接有滑塊，所述滑塊與滑槽的內部滑動連接。

優選的，所述器件本體底部的前后方均固定連接有若干加強板，所述加強板位于器件本體引腳的前后兩側。

優選的，所述引腳防護套的內部與引腳的形狀相同，且引腳防護套的內部設置有防潮層。

優選的，所述器件本體左右兩側的上下方均開設有螺孔，所述防護殼左右兩側的上下方均螺紋連接有固定栓，且固定栓與螺孔的內部螺紋連接。

優選的，所述防護殼頂部的口徑大于器件本體的體積，所述防護殼底部的口徑與連接板的面積相同。

與現有技術相比，本實用新型的有益效果如下：

本實用新型通過防護殼和引腳防護套的設置，不僅可以對器件本體進行保護，而且還可以對器件本體底部的引腳進行保護，避免其在不使用時，導致其受到外界的因素而發生損壞，同時通過彈簧對限位板和限位桿的彈性施力，方便將連接板和防護殼之間進行固定和拆卸，通過散熱鰭片和散熱槽的設置，可以對器件本體產生的熱量進行散熱，并延長其的使用壽命，解決了目前的MOSFET器件不方便進行散熱，且無法對MOSFET器件和其的引腳進行保護的問題。

附圖說明

圖1為本實用新型的立體結構示意圖；

圖2為本實用新型中器件本體和引腳防護套與防護殼分離后的結構示意圖；