[實(shí)用新型]微波器件、線路板以及電子設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202221210866.1
• 申請(qǐng)日: 2022-05-17
• 公開（公告）號(hào): CN217334396U
• 公開（公告）日: 2022-08-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 董翔宇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京小米移動(dòng)軟件有限公司
• 主分類號(hào): H01Q1/38
• 分類號(hào): H01Q1/38;H01Q1/52;H01Q15/00;H01Q1/22;H01Q21/00
• 代理公司: 北京博思佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11415
• 代理人: 王茹

1.一種微波器件，其特征在于，包括：

金屬組件，包括輻射層、接收層以及屏蔽層，所述輻射層與所述接收層沿所述微波器件的厚度方向間隔設(shè)置，且所述接收層的阻抗與所述輻射層的阻抗相匹配；所述屏蔽層夾設(shè)于所述輻射層與所述接收層之間，并分別與所述輻射層及所述接收層絕緣設(shè)置，所述屏蔽層設(shè)有耦合縫隙，所述接收層通過所述耦合縫隙與所述輻射層相耦合；以及

介質(zhì)組件，設(shè)置于所述輻射層與所述接收層之間，所述介質(zhì)組件包括第一介質(zhì)層、第二介質(zhì)層以及第三介質(zhì)層，所述第一介質(zhì)層夾設(shè)于所述輻射層與所述屏蔽層之間，至少有一個(gè)所述第二介質(zhì)層夾設(shè)于所述輻射層與所述屏蔽層之間，所述第三介質(zhì)層夾設(shè)于所述接收層與所述屏蔽層之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微波器件，其特征在于，所述第二介質(zhì)層至少為兩個(gè)，且至少有兩個(gè)所述第二介質(zhì)層夾設(shè)于所述輻射層與所述屏蔽層之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微波器件，其特征在于，所述第二介質(zhì)層為半固化片，且至少有一個(gè)所述第二介質(zhì)層設(shè)置于所述第一介質(zhì)層與所述屏蔽層之間，至少有一個(gè)所述第二介質(zhì)層設(shè)置于所述第一介質(zhì)層與所述屏蔽層之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的微波器件，其特征在于，至少有一個(gè)第二介質(zhì)層貼合于所述第一介質(zhì)層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微波器件，其特征在于，所述第二介質(zhì)層為半固化片；和/或，所述第一介質(zhì)層和所述第三介質(zhì)層為介質(zhì)板。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微波器件，其特征在于，所述第一介質(zhì)層、所述第二介質(zhì)層以及所述第三介質(zhì)層相配合，以增大所述微波器件的透射性能。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微波器件，其特征在于，所述耦合縫隙包括第一縫隙和第二縫隙，所述第一縫隙的延長(zhǎng)方向與所述第二縫隙的延長(zhǎng)方向相交，所述接收層通過所述第一縫隙以及所述第二縫隙與所述輻射層相耦合。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的微波器件，其特征在于，所述第一縫隙與所述第二縫隙相互垂直設(shè)置，所述屏蔽層還包括耦合枝節(jié)，所述耦合枝節(jié)設(shè)置于所述第一縫隙和/或所述第二縫隙上；和/或，所述接收層包括第一頻率選擇表面，所述輻射層包括第二頻率選擇表面。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)所述的微波器件，其特征在于，所述第一介質(zhì)層的數(shù)量為n1,所述第二介質(zhì)層的數(shù)量為n2,所述第三介質(zhì)層的數(shù)量為n3；所述第一介質(zhì)層的介電常數(shù)為r1,所述第一介質(zhì)層的介電常數(shù)為介質(zhì)厚度為t1；所述第二介質(zhì)層的介電常數(shù)為r2,所述第二介質(zhì)層的介電常數(shù)為介質(zhì)厚度為t2；所述第三介質(zhì)層的介電常數(shù)為r3,所述第三介質(zhì)層的介電常數(shù)為介質(zhì)厚度為t3；其中，n1≥1,n2≥1,n3≥1；n1×r1×t1+n2×r2×t2＝n3×r3×t3。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)所述的微波器件，其特征在于，所述介質(zhì)組件還包括第四介質(zhì)層，且至少有一個(gè)所述第四介質(zhì)層夾設(shè)于所述接收層與所述屏蔽層之間。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的微波器件，其特征在于，所述第一介質(zhì)層的數(shù)量為n1,所述第二介質(zhì)層的數(shù)量為n2,所述第三介質(zhì)層的數(shù)量為n3，所述第三介質(zhì)層的數(shù)量為n4；所述第一介質(zhì)層的介電常數(shù)為r1,所述第一介質(zhì)層的介電常數(shù)為介質(zhì)厚度為t1；所述第二介質(zhì)層的介電常數(shù)為r2,所述第二介質(zhì)層的介電常數(shù)為介質(zhì)厚度為t2；所述第三介質(zhì)層的介電常數(shù)為r3,所述第三介質(zhì)層的介電常數(shù)為介質(zhì)厚度為t3；所述第四介質(zhì)層的介電常數(shù)為r4,所述第四介質(zhì)層的介電常數(shù)為介質(zhì)厚度為t4；其中，n1≥1,n2≥1,n3≥1，n4≥1；n1×r1×t1+n2×r2×t2＝n3×r3×t3+n4×r4×t4。

12.一種線路板，其特征在于，包括權(quán)利要求1至11任一項(xiàng)所述的微波器件。

13.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括權(quán)利要求1至12任一項(xiàng)所述的微波器件，或如權(quán)利要求11所述的線路板。