[實用新型]SiC MOSFET的保護電路

有效

• 申請號: 202221194725.5
• 申請日: 2022-05-09
• 公開（公告）號: CN218386794U
• 公開（公告）日: 2023-01-24
• 發明（設計）人: 趙鳳儉
• 申請（專利權）人: 飛锃半導體（上海）有限公司
• 主分類號: H02H7/20
• 分類號: H02H7/20;H02H3/093;H02H3/10;H02M1/08
• 代理公司: 北京市一法律師事務所 11654
• 代理人: 樊文娜;劉榮娟

1.一種SiC MOSFET的保護電路，其特征在于，包括：

輸出側邏輯控制模塊，用于接收所述SiC MOSFET的驅動脈沖信號并輸出，還用于輸出與所述驅動脈沖信號同步的控制信號；

輸出級功率放大電路，與所述輸出側邏輯控制模塊電連接，并被配置為對所述驅動脈沖信號進行放大，并輸出至所述SiC MOSFET；

短路檢測模塊，與所述輸出側邏輯控制模塊以及所述SiC MOSFET的漏極電連接，并被配置為接收所述控制信號并獲得參考電壓信號，同時獲取所述SiC MOSFET的漏源電壓信號，且基于所述漏源電壓信號和所述參考電壓信號向所述輸出側邏輯控制模塊輸出檢測結果信號。

2.根據權利要求1所述的SiC MOSFET的保護電路，其特征在于，所述短路檢測模塊包括：

比較器，包括第一輸入端、第二輸入端及輸出端，其中所述輸出端電連接所述輸出側邏輯控制模塊；

漏源電壓信號源電路，電連接所述第一輸入端；

參考電壓信號源電路，電連接所述第二輸入端。

3.根據權利要求2所述的SiC MOSFET的保護電路，其特征在于，所述漏源電壓信號源電路包括：

第五電阻，所述第五電阻的第一端電連接所述SiC MOSFET的漏極，所述第五電阻兩端還電連接有第二電容；

第六電阻，所述第六電阻的第一端電連接所述第五電阻的第二端，所述第六電阻的兩端還電連接有第三電容；

第七電阻，所述第七電阻的第一端電連接所述第六電阻的第二端，第二端電連接所述第一輸入端，且所述第七電阻的兩端還電連接有第四電容；

第八電阻，所述第八電阻的第一端電連接所述第一輸入端，且所述第八電阻的第二端接輸出側地，所述第八電阻兩端還電連接有第五電容。

4.根據權利要求2所述的SiC MOSFET的保護電路，其特征在于，所述參考電壓信號源電路包括：

第三MOS管，所述第三MOS管的柵極電連接所述輸出側邏輯控制模塊，源極接輸出側地，且所述第三MOS管受控于所述控制信號；

第一穩壓二極管，所述第一穩壓二極管的陽極電連接所述第三MOS管的漏極；

第九電阻，所述第九電阻的第一端電連接所述第一穩壓二極管的陰極，第二端電連接所述第二輸入端；

第六電容，所述第六電容的第一端電連接所述第二輸入端，第二端接輸出側地；

第十電阻，所述第十電阻的第一端電連接直流正壓，第二端電連接所述第二輸入端。

5.根據權利要求1所述的SiC MOSFET的保護電路，其特征在于，所述保護電路還包括：輔助檢測模塊，位于所述SiC MOSFET的開爾文引腳和源極引腳之間，用于檢測所述SiCMOSFET的電流變化率。

6.根據權利要求5所述的SiC MOSFET的保護電路，其特征在于，所述輔助檢測模塊包括：

第二二極管，所述第二二極管的陽極接輸出側地；

第十一電阻，所述第十一電阻的第一端電連接所述第二二極管的陰極，第二端電連接所述SiC MOSFET的源極；

第十二電阻，所述第十二電阻的第一端電連接所述第二二極管的陰極；

第七電容，所述第七電容的第一端電連接所述第十二電阻的第二端，第二端電連接所述SiC MOSFET的源極；

變壓器，所述變壓器的原邊電連接所述第七電容的兩端，副邊一端電連接所述輸出側邏輯控制模塊，且另一端接輸出側地。

7.根據權利要求1所述的SiC MOSFET的保護電路，其特征在于，所述輸出級功率放大電路包括PMOS管和NMOS管構成的推挽式驅動電路，或者包括NPN和PNP三極管構成的推挽式驅動電路。