[實用新型]一種高匹配帶隔離一分三魔T功分器

有效

• 申請號: 202221024449.8
• 申請日: 2022-04-29
• 公開（公告）號: CN217405679U
• 公開（公告）日: 2022-09-09
• 發明（設計）人: 何鳳輝;王曙光
• 申請（專利權）人: 成都歐拉微波元器件有限公司
• 主分類號: H01P5/20
• 分類號: H01P5/20
• 代理公司: 成都嘉企源知識產權代理有限公司 51246
• 代理人: 田甜

1.一種高匹配帶隔離一分三魔T功分器，其特征在于：包括第一魔T結構(1)、H-T分支(4)以及結構相同的第二魔T結構(2)和第三魔T結構(3)；

所述第一魔T結構(1)包括一個輸入端口、一個隔離端口和兩個輸出端口，兩個輸出端口輸出的功率比例為1:1；

所述第二魔T結構(2)包括一個輸入端口、一個隔離端口、兩個輸出端口和使兩個輸出端口輸出功率比例為1:2的第一匹配結構(51)；

第一魔T結構(1)、第二魔T結構(2)和第三魔T結構(3)的隔離端口分別接一個負載吸收設備(6)；

所述H-T分支(4)包括兩個輸入端口和一個輸出端口；

第二魔T結構(2)和第三魔T結構(3)的輸入端口分別與第一魔T結構(1)的兩個輸出端口連接，所述第二魔T結構(2)和第三魔T結構(3)輸出功率較小的兩個輸出端口分別與H-T分支(4)的兩個輸入端口連接。

2.根據權利要求1所述的一種高匹配帶隔離一分三魔T功分器，其特征在于：還包括兩個用于使第一魔T結構(1)的兩個輸出端口輸出的微波轉向90度的轉向結構(7)；

所述第一魔T結構(1)的兩個輸出端口輸出的微波傳導方向經轉向結構(7)轉向后與第一魔T結構(1)的輸入端口的微波傳導方向相同。

3.根據權利要求2所述的一種高匹配帶隔離一分三魔T功分器，其特征在于：

所述第二魔T結構(2)和第三魔T結構(3)對稱設置，所述第二魔T結構(2)和第三魔T結構(3)之間是H-T分支(4)，所述H-T分支(4)的輸出端口輸出的微波傳導方向與第一魔T結構(1)的輸入端口的微波傳導方向相同，

所述第二魔T結構(2)和第三魔T結構(3)輸出功率較小的兩個輸出端口分別與H-T分支(4)的兩個輸入端口連接。

4.根據權利要求3所述的一種高匹配帶隔離一分三魔T功分器，其特征在于：還包括兩個用于使第二魔T結構(2)和第三魔T結構(3)的兩個輸出較大功率的輸出端口輸出的微波轉向90度的圓弧彎(8)；

第二魔T結構(2)和第三魔T結構(3)的兩個輸出較大功率的輸出端口輸出的微波經圓弧彎(8)轉向后與H-T分支(4)的輸出端口輸出的微波的方向相同。

5.根據權利要求1所述的一種高匹配帶隔離一分三魔T功分器，其特征在于：所述負載吸收設備(6)包括一個E-T分支(9)和兩個負載，所述E-T分支(9)包括兩個負載腔以及一個輸入端口，E-T分支(9)的輸入端口與第一魔T結構(1)或第二魔T結構(2)或第三魔T結構(3)的隔離端口連接，所述兩個負載分別設置在E-T分支(9)的兩個負載腔內。

6.根據權利要求5所述的一種高匹配帶隔離一分三魔T功分器，其特征在于：所述兩個負載均為碳化硅塊。

7.根據權利要求1所述的一種高匹配帶隔離一分三魔T功分器，其特征在于：所述第一魔T結構(1)還包括一個用于匹配駐波、減小反射的第二匹配結構(52)。

8.根據權利要求1所述的一種高匹配帶隔離一分三魔T功分器，其特征在于：所述H-T分支(4)還包括一個用于匹配駐波、減小反射的第三匹配結構(53)。

9.根據權利要求1所述的一種高匹配帶隔離一分三魔T功分器，其特征在于：所述第一魔T結構(1)、第二魔T結構(2)和第三魔T結構(3)的隔離端口處均設置有階梯(121)。

10.根據權利要求1所述的一種高匹配帶隔離一分三魔T功分器，其特征在于：所述第一魔T結構(1)的輸入端口與一個H-E轉換波導結構(110)連接。