[實用新型]一種介電復合薄膜

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202220976373.2
• 申請日: 2022-04-26
• 公開（公告）號: CN218287030U
• 公開（公告）日: 2023-01-13
• 發(fā)明（設計）人: 宋波
• 申請（專利權）人: 江門職業(yè)技術學院
• 主分類號: B32B27/30
• 分類號: B32B27/30;B32B9/00;B32B9/04;H01G4/12
• 代理公司: 陜西增瑞律師事務所 61219
• 代理人: 孫衛(wèi)增

本申請?zhí)峁┮环N介電復合薄膜，包括：復合材料層、鈦酸鋇粉末層；復合材料層為ABS/多層石墨烯復合材料層；復合材料層和鈦酸鋇粉末層間隔鋪設，復合材料層和鈦酸鋇粉末層的鋪設方向為垂直于鋪膜方向。本申請?zhí)峁┑慕殡姀秃媳∧ぞ哂懈呓殡姵?shù)和低介電損耗的性能，還能夠進行卷曲和熱壓復合，無污染、耗能低、成本低、制備工藝簡單且安全系數(shù)高。

技術領域

本申請屬于介電復合材料，具體涉及一種介電復合薄膜。

背景技術

高性能介電材料具有優(yōu)異的平均電場和儲存電能的作用，高介電薄膜材料在新型儲能器件和大功率能量存儲系統(tǒng)中均具有非常廣泛的應用前景。

高介電薄膜材料主要有無機陶瓷材料和高介電聚合物材料。但是現(xiàn)有的無機陶瓷材料存在機械性能較差、不易于大面積成膜和卷曲難的問題，現(xiàn)有的聚合物介電材料為聚偏乙烯(PVDF)及其接枝類產(chǎn)品，其難以滿足電容器的小體積大容量的要求。

現(xiàn)有技術中為了提高介電薄膜的介電常數(shù)采用的方式是在聚合物材料中添加導電材料，但是導電材料產(chǎn)生的漏電流會使介電損耗很大。而現(xiàn)有技術為了解決上述問題所采用的多層介電復合材料成本高、工藝復雜。

實用新型內(nèi)容

基于上述問題，本申請?zhí)峁┮环N介電復合薄膜，能夠克服現(xiàn)有介電薄膜材料機械性能差、介電性能差以及損耗大的問題，使介電薄膜材料具備高介電常數(shù)及低損耗的效果。

為達到上述目的，本發(fā)明采用如下技術方案:

一種介電復合薄膜，所述介電復合薄膜包括：至少兩個復合材料層、至少一個鈦酸鋇層；

所述復合材料層為石墨烯質(zhì)量分數(shù)為7-8％的ABS/多層石墨烯復合材料層；

所述復合材料層和所述鈦酸鋇粉末層間隔鋪設，所述復合材料層和所述鈦酸鋇層的鋪設方向為垂直于鋪膜方向。

在一種可能的實現(xiàn)方式中，所述鋪膜方向為基片延伸方向。

在一種可能的實現(xiàn)方式中，所述復合材料層的厚度為0.2mm-0.22mm。

在一種可能的實現(xiàn)方式中，所述鈦酸鋇層的厚度為0.006mm-0.009mm。

在一種可能的實現(xiàn)方式中，所述復合材料層中所述石墨烯的質(zhì)量分數(shù)為 7-8％。

在一種可能的實現(xiàn)方式中，所述鈦酸鋇層為鈦酸鋇粉末層。

與現(xiàn)有技術相比，本申請具有如下有益效果：

(1)本申請中復合材料層中含有多層石墨烯，能夠提高聚合物層材料的介電常數(shù)；能夠使聚合物具有較好的加工性能和柔韌性能。

(2)本申請中復合材料層和鈦酸鋇粉末層間隔鋪設，能夠有效的提高電容器的儲電能力和半導體存儲器件的存儲功能，并且可以保持較低的介電損耗。

(3)本申請?zhí)峁┑慕殡姀秃媳∧ぞ哂懈呓殡姵?shù)和低介電損耗，可卷曲可熱壓復合，無污染、耗能低、成本低、制備工藝簡單且安全系數(shù)高。

(4)由于多層石墨烯相對容易分散，ABS/多層石墨烯復合材料可通過ABS 和多層石墨烯熔融共混制備，成本低、工藝簡單。

附圖說明

附圖1是本申請實施例提供的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中：1為復合材料層；2為鈦酸鋇粉末層。

具體實施方式

為了使本技術領域的人員更好地理解本實用新型中的技術方案，下面將結(jié)合本實用新型說明書附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都應當屬于本實用新型保護的范圍。