[實用新型]發光顯示裝置有效
| 申請號: | 202220972708.3 | 申請日: | 2022-04-25 |
| 公開(公告)號: | CN217562576U | 公開(公告)日: | 2022-10-11 |
| 發明(設計)人: | 柳慜烈;李駿熙;李現范;王盛民 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人: | 宋穎娉;宋志強 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 顯示裝置 | ||
1.一種發光顯示裝置,包括:
像素電路部分,包括包含多晶半導體的多晶晶體管和包含氧化物半導體的氧化物晶體管;
發光二極管,包括與所述像素電路部分連接的陽極;
封裝層,覆蓋所述像素電路部分和所述發光二極管;以及
光阻擋層,設置在所述封裝層上并且包括在平面上與所述陽極重疊的光阻擋層開口,
其中,在所述像素電路部分中,與所述陽極相對應的擴展部分設置在第一導電層或第二導電層中并且包括所述第一導電層或所述第二導電層的加寬部分,所述第一導電層是從所述陽極開始向下的第一個導電的層,并且所述第二導電層是從所述陽極開始向下的第二個導電的層。
2.根據權利要求1所述的發光顯示裝置,其中
所述像素電路部分進一步包括:
第一像素電路部分,包括包含多晶半導體的第一多晶晶體管和包含氧化物半導體的第一氧化物晶體管;以及
第二像素電路部分,包括包含多晶半導體的第二多晶晶體管和包含氧化物半導體的第二氧化物晶體管,
所述發光二極管進一步包括:
第一發光二極管,包括與所述第一像素電路部分連接的第一陽極;以及
第二發光二極管,包括與所述第二像素電路部分連接的第二陽極,
所述光阻擋層開口包括:在所述平面上與所述第一陽極重疊的第一光阻擋層開口以及在所述平面上與所述第二陽極重疊的第二光阻擋層開口,
所述擴展部分包括:
在所述第一像素電路部分中、與所述第一陽極相對應的第一擴展部分,所述第一擴展部分設置在所述第一導電層中并且包括所述第一導電層的所述加寬部分;以及
在所述第二像素電路部分中、與所述第二陽極相對應的第二擴展部分,所述第二擴展部分設置在所述第二導電層中并且包括所述第二導電層的所述加寬部分,并且
所述發光顯示裝置進一步包括:
第一濾色器,設置在所述第一光阻擋層開口中;
第二濾色器,設置在所述第二光阻擋層開口中;以及
黑色像素限定層,包括分別與所述第一陽極的至少一部分和所述第二陽極的至少一部分重疊的第一開口和第二開口,并且包括光阻擋材料。
3.根據權利要求2所述的發光顯示裝置,其中
所述第一擴展部分在所述平面上與整個所述第一開口重疊,并且所述第二擴展部分在所述平面上與整個所述第二開口重疊。
4.根據權利要求2所述的發光顯示裝置,進一步包括:
有機層,設置在所述第一陽極與所述第一導電層之間以及所述第二陽極與所述第一導電層之間,
其中,所述有機層包括用于所述第一陽極的第三開口和用于所述第二陽極的第四開口,并且
用于所述第一陽極的所述第三開口的邊緣與所述第一開口的邊緣之間的水平距離大于用于所述第二陽極的所述第四開口的邊緣與所述第二開口的邊緣之間的水平距離。
5.根據權利要求2所述的發光顯示裝置,進一步包括:
第一布線部分,設置在所述第二導電層中并且在所述平面上與所述第一開口重疊;以及
第二布線部分,設置在所述第一導電層中并且在所述平面上與所述第二開口重疊。
6.根據權利要求5所述的發光顯示裝置,其中
與所述第一開口重疊的所述第一布線部分由在一個方向上延伸的單個布線部分形成,
與所述第二開口重疊的所述第二布線部分由在一個方向上延伸的四個布線部分形成,
初始化電壓被施加到形成所述第一布線部分的所述單個布線部分,并且
形成所述第二布線部分的所述四個布線部分中的兩個是數據線,并且所述四個布線部分中的其余兩個被施加有驅動電壓。
7.根據權利要求5所述的發光顯示裝置,其中
與所述第一開口重疊的所述第一布線部分包括在第一方向上延伸的布線部分,
與所述第二開口重疊的所述第二布線部分包括在與所述第一方向垂直的方向上延伸的兩個布線部分,
所述第一布線部分的所述布線部分被施加有初始化電壓,并且
所述第二布線部分的所述兩個布線部分是數據線。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





