[實用新型]一種集成JBS的溝槽型SiC晶體管有效
| 申請號： | 202220963571.5 | 申請日： | 2022-04-25 |
| 公開（公告）號： | CN217485453U | 公開（公告）日： | 2022-09-23 |
| 發明（設計）人： | 張瑜潔;何佳;李佳帥;張長沙 | 申請（專利權）人： | 瀏陽泰科天潤半導體技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 福州市鼓樓區京華專利事務所(普通合伙) 35212 | 代理人： | 王牌 |
| 地址： | 410300 湖南省長沙市瀏陽高新技*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 集成 jbs 溝槽 sic 晶體管 | ||
【權利要求書】：
1.一種集成JBS的溝槽型SiC晶體管，其特征在于，包括：
一碳化硅襯底，
一漂移層，所述漂移層設于所述碳化硅襯底的上端面；所述漂移層上設有掩蔽層以及肖特基金屬層以及柵極絕緣層；所述掩蔽層頂部連接至所述肖特基金屬層底部，所述掩蔽層連接至所述柵極絕緣層；
一柵極，所述柵極設于所述柵極絕緣層內；
一源區，所述源區底部分別連接所述漂移層以及肖特基金屬層，所述源區側面連接所述柵極絕緣層；
一源極金屬層，所述源極金屬層連接至所述源區；
一柵極金屬層，所述柵極金屬層連接至所述柵極；
以及，一漏極金屬層，所述漏極金屬層連接至所述碳化硅襯底下端面。
2.如權利要求1所述的一種集成JBS的溝槽型SiC晶體管，其特征在于：所述掩蔽層為P+型，所述掩蔽層的截面為L型。
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