[實(shí)用新型]一種P型SiC LDMOS功率器件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202220963562.6 | 申請(qǐng)日： | 2022-04-25 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN217485452U | 公開(kāi)（公告）日： | 2022-09-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張瑜潔;張長(zhǎng)沙;何佳 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 瀏陽(yáng)泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體技術(shù)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L29/78 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 福州市鼓樓區(qū)京華專(zhuān)利事務(wù)所(普通合伙) 35212 | 代理人： | 王牌 |
| 地址： | 410300 湖南省長(zhǎng)沙市瀏陽(yáng)高新技*** | 國(guó)省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 sic ldmos 功率 器件 | ||
1.一種P型SiC LDMOS功率器件，其特征在于，包括：
一碳化硅襯底；
一外延層，所述外延層連接至所述碳化硅襯底上側(cè)面，所述外延層上設(shè)有源區(qū)歐姆接觸區(qū)；
一隔離區(qū)，所述隔離區(qū)底部連接至所述碳化硅襯底上側(cè)面，所述隔離區(qū)一側(cè)面連接至所述外延層，所述隔離區(qū)上設(shè)有漏極歐姆接觸區(qū)；
一承壓區(qū)，所述承壓區(qū)底部以及一側(cè)面連接至所述外延層，所述承壓區(qū)另一側(cè)面連接至所述隔離區(qū)；
一漏極金屬層，所述漏極金屬層連接至所述漏極歐姆接觸區(qū)；
一源極金屬層，所述源極金屬層連接至所述源區(qū)歐姆接觸區(qū)；
一柵極金屬層，所述柵極金屬層連接至所述外延層；
所述漏極金屬層、源極金屬層以及柵極金屬層之間均設(shè)有絕緣層。
2.如權(quán)利要求1所述的一種P型SiC LDMOS功率器件，其特征在于，所述漏極金屬層設(shè)有突起部，所述突起部一側(cè)面連接至所述絕緣層，所述突起部位于隔離區(qū)以及設(shè)定長(zhǎng)度的承壓區(qū)上方。
3.如權(quán)利要求1所述的一種P型SiC LDMOS功率器件，其特征在于，所述碳化硅襯底以及外延層均為N型，所述隔離區(qū)、承壓區(qū)、漏極歐姆接觸區(qū)以及源區(qū)歐姆接觸區(qū)均為P型。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專(zhuān)門(mén)適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類(lèi)型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過(guò)施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
