[實(shí)用新型]一種U型柵溝槽型SiC MOSFET有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202220963554.1 | 申請(qǐng)日： | 2022-04-25 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN217485451U | 公開（公告）日： | 2022-09-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張瑜潔;張長沙;何佳;李佳帥 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 瀏陽泰科天潤半導(dǎo)體技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L29/78 | 分類號(hào)： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 福州市鼓樓區(qū)京華專利事務(wù)所(普通合伙) 35212 | 代理人： | 王牌 |
| 地址： | 410300 湖南省長沙市瀏陽高新技*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 溝槽 sic mosfet | ||
1.一種U型柵溝槽型SiC MOSFET，其特征在于，包括：
一碳化硅襯底，
一漂移層，所述漂移層設(shè)于所述碳化硅襯底的上側(cè)面；所述漂移層上設(shè)有掩蔽層、導(dǎo)電區(qū)以及柵極絕緣層，所述導(dǎo)電區(qū)底部以及掩蔽層底部均連接至所述漂移層，所述掩蔽層側(cè)面連接至所述導(dǎo)電區(qū)，所述導(dǎo)電區(qū)側(cè)面連接至所述漂移層，所述漂移層上設(shè)有U型槽，所述U型槽底部連接至所述掩蔽層頂部，所述柵極絕緣層設(shè)于所述U型槽上；
一柵極，所述柵極連接至所述柵極絕緣層；
一源區(qū)，所述源區(qū)底部分別連接所述導(dǎo)電區(qū)以及漂移層，所述源區(qū)一側(cè)面連接至所述柵極絕緣層；
一夾斷區(qū)，所述夾斷區(qū)底部連接至所述漂移層，所述夾斷區(qū)一側(cè)面連接至所述源區(qū)；
一源極金屬層，所述源極金屬層連接至所述源區(qū)頂部以及夾斷區(qū)頂部；
一柵極金屬層，所述柵極金屬層連接至所述柵極；
以及，一漏極金屬層，所述漏極金屬層連接至所述碳化硅襯底下側(cè)面。
2.如權(quán)利要求1所述的一種U型柵溝槽型SiC MOSFET，其特征在于，所述柵極絕緣層為U型。
3.如權(quán)利要求1所述的一種U型柵溝槽型SiC MOSFET，其特征在于，所述夾斷區(qū)為p型摻雜，所述夾斷區(qū)的摻雜濃度小于源區(qū)的摻雜濃度，且高于漂移層的摻雜濃度。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
