[實(shí)用新型]一種應(yīng)用在逐次逼近模數(shù)轉(zhuǎn)換器中的超時(shí)監(jiān)測(cè)電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202220961504.X
• 申請(qǐng)日: 2022-04-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN217363059U
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-09-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 焦子豪;孫權(quán);羅紅瑞;袁婷;張龍
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 西安航天民芯科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H03M1/10
• 分類(lèi)號(hào): H03M1/10;H03M1/38
• 代理公司: 西安通大專(zhuān)利代理有限責(zé)任公司 61200
• 代理人: 陳翠蘭

1.一種應(yīng)用在逐次逼近模數(shù)轉(zhuǎn)換器中的超時(shí)監(jiān)測(cè)電路，其特征在于，包括電容C1、N型MOS管MN1、P型MOS管MP1、P型MOS管MP2、P型MOS管MP3、反相器INV1、或非門(mén)NOR1和觸發(fā)器DFF1；

所述觸發(fā)器DFF1的D端接電源，Clk端接外部CNV信號(hào)，Q端接SAMP輸出信號(hào)，Q_N端接N型MOS管MN1、P型MOS管MP1、P型MOS管MP2、P型MOS管MP3的柵極；

所述P型MOS管MP1的源端接電源，漏端接P型MOS管MP2的源端；P型MOS管MP2的漏端接P型MOS管MP3的漏端，N型MOS管MN1源端接地；

所述電容C1的一端接P型MOS管MP3的漏端、N型MOS管MN1的漏端和反相器INV1的輸入端；

所述或非門(mén)NOR1的A1輸入端接反相器INV1的輸出端，A2輸入端接外部ENB信號(hào)，輸出端連接觸發(fā)器DFF1的Reset輸入端。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種應(yīng)用在逐次逼近模數(shù)轉(zhuǎn)換器中的超時(shí)監(jiān)測(cè)電路，其特征在于，所述電容C1另一端與P型MOS管MP1的源端連接并接地。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種應(yīng)用在逐次逼近模數(shù)轉(zhuǎn)換器中的超時(shí)監(jiān)測(cè)電路，其特征在于，所述P型MOS管MP1的漏極連接P型MOS管MP2的漏極。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種應(yīng)用在逐次逼近模數(shù)轉(zhuǎn)換器中的超時(shí)監(jiān)測(cè)電路，其特征在于，所述CNV信號(hào)的有效電平為上升沿。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種應(yīng)用在逐次逼近模數(shù)轉(zhuǎn)換器中的超時(shí)監(jiān)測(cè)電路，其特征在于，所述觸發(fā)器DFF1的Q_N端的有效電平為低電平。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種應(yīng)用在逐次逼近模數(shù)轉(zhuǎn)換器中的超時(shí)監(jiān)測(cè)電路，其特征在于，所述或非門(mén)NOR1的輸出端的有效電平為高電平。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種應(yīng)用在逐次逼近模數(shù)轉(zhuǎn)換器中的超時(shí)監(jiān)測(cè)電路，其特征在于，所述電容C1采用采用可調(diào)電容。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種應(yīng)用在逐次逼近模數(shù)轉(zhuǎn)換器中的超時(shí)監(jiān)測(cè)電路，其特征在于，所述ENB信號(hào)的有效電平為低電平。