[實用新型]一種CMOS圖像傳感器芯片封裝結構

有效

• 申請號: 202220933084.4
• 申請日: 2022-04-20
• 公開（公告）號: CN218069853U
• 公開（公告）日: 2022-12-16
• 發明（設計）人: 李媛媛
• 申請（專利權）人: 廣東先進半導體有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 王風茹

1.一種CMOS圖像傳感器芯片封裝結構，其特征在于，包括襯底基板和CMOS圖像傳感器芯片，所述CMOS圖像傳感器芯片貼合固定于所述襯底基板上；所述CMOS圖像傳感器芯片和所述襯底基板上的焊墊通過引線鍵合；

所述CMOS圖像傳感器芯片包括晶片和玻璃基板，所述玻璃基板位于所述晶片背離所述襯底基板的一側；

所述晶片上形成有CMOS圖像傳感器，所述玻璃基板朝向所述晶片的一側表面形成有圍堰，所述晶片、所述玻璃基板和所述圍堰形成第一空腔，所述第一空腔為真空腔；所述圖像傳感器包括感光區，所述CMOS圖像傳感器的感光區位于所述第一空腔中。

2.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，還包括密封框架，所述密封框架與所述玻璃基板和所述襯底基板形成第二空腔，所述CMOS圖像傳感器芯片和所述襯底基板上的焊墊以及所述引線位于所述第二空腔中。

3.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，包括塑封結構，所述塑封結構覆蓋所述焊墊和所述引線。

4.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述晶片的厚度為200～300μm。

5.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述玻璃基板為紅外玻璃。

6.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，還包括錫球，所述錫球位于所述襯底基板背離所述CMOS圖像傳感器芯片的一側表面。