[實用新型]用于提高平板天線GT值的雙通道低噪聲放大器

有效

• 申請號: 202220920278.0
• 申請日: 2022-04-18
• 公開（公告）號: CN217335549U
• 公開（公告）日: 2022-08-30
• 發明（設計）人: 杜小平;龍騰武;楊濤
• 申請（專利權）人: 成都貝爾普森電子技術有限公司
• 主分類號: H03F3/68
• 分類號: H03F3/68;H03F3/193;H03F1/26;H03F1/56
• 代理公司: 河北知亦可為專利代理事務所(特殊普通合伙) 13115
• 代理人: 段力

1.用于提高平板天線GT值的雙通道低噪聲放大器，其特征在于，包括偏壓電路和兩路結構相同的低噪聲放大電路，任一所述低噪聲放大電路包括波導-微帶過度轉換電路、第一級低噪聲放大器和第二級低噪聲放大器，所述波導-微帶過度轉換電路輸入端作為雙通道低噪聲放大器的輸入端，所述波導-微帶過度轉換電路輸出端連接所述第一級低噪聲放大器的輸入端，所述第一級低噪聲放大器的輸出端連接所述第二級低噪聲放大器的輸入端，所述第二級低噪聲放大器的輸出端作為所述雙通道低噪聲放大器的輸出端，所述偏壓電路為第一級低噪聲放大器和第二級低噪聲放大器提供偏置電壓。

2.根據權利要求1所述的用于提高平板天線GT值的雙通道低噪聲放大器，其特征在于，任一所述低噪聲放大電路還包括第一電容C5和第二電容C9，所述第一電容C5串聯在所述第一級低噪聲放大器的輸出端和第二級低噪聲放大器的輸入端之間，所述第二電容C9設置在所述第二級低噪聲放大器的輸出端。

3.根據權利要求2所述的用于提高平板天線GT值的雙通道低噪聲放大器，其特征在于，任一所述低噪聲放大電路還包括第一匹配電路、第二匹配電路、第三匹配電路和第四匹配電路，所述第一匹配電路串聯在所述波導-微帶過度轉換電路與第一級低噪聲放大器之間，所述第二匹配電路串聯在所述第一級低噪聲放大器的輸出端和所述第一電容C5的第一端之間，所述第三匹配電路串聯在所述第一電容C5的第二端和所述第二級低噪聲放大器的輸入端之間，所述第四匹配電路串聯在所述第二級低噪聲放大器的輸出端和所述第二電容C9的第一端之間。

4.根據權利要求3所述的用于提高平板天線GT值的雙通道低噪聲放大器，其特征在于，所述第一級低噪聲放大器包括場效應管U1和場效應管U2，所述第二級低噪聲放大器包括場效應管U3和場效應管U4，所述第一匹配電路包括電感L1和電感L2，所述電感L2的第一端通過電容C1連接所述波導-微帶過度轉換電路的輸出端，所述電感L2的第二端連接所述場效應管U1的柵極，所述電感L1的第一端連接所述電感L2的第一端，所述電感L1的第二端連接Vg2電源。

5.根據權利要求4所述的用于提高平板天線GT值的雙通道低噪聲放大器，其特征在于，所述第二匹配電路包括電感L3和電感L4，所述第三匹配電路包括電感L7和電感L8，所述電感L3的第一端連接所述場效應管U2的漏極，所述電感L3的第二端連接所述第一電容C5的第一端，所述電感L4的第一端連接所述電感L3的第二端，所述電感L4的第二端連接Vd1電源，所述電感L8的第一端連接所述第一電容C5的第一端，所述電感L8的第二端連接所述場效應管U3的柵極，所述電感L7的第一端連接所述電感L8的第一端，所述電感L7的第二端連接Vg3電源。

6.根據權利要求4所述的用于提高平板天線GT值的雙通道低噪聲放大器，其特征在于，所述第四匹配電路包括電感L11和電感L12，所述電感L11的第一端連接所述場效應管U4的漏極，所述電感L11的第二端連接所述第二電容C9的第一端，所述電感L12的第一端連接所述電感L1的第二端，所述電感L12的第二端連接Vd2電源，所述第二電容C9的第二端作為低噪聲放大電路的輸出端。