[實用新型]芯片器件腔體封裝結構

有效

• 申請號: 202220900479.4
• 申請日: 2022-04-19
• 公開（公告）號: CN217544615U
• 公開（公告）日: 2022-10-04
• 發明（設計）人: 何寒冰;彭朝輝;陳達
• 申請（專利權）人: 上海工物高技術產業發展有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L23/31
• 代理公司: 華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 孫君衍

1.一種芯片器件腔體封裝結構，其特征在于，包括封裝基體，所述封裝基體內設置有用于設置裸芯片器件的第一腔體和用于設置功能模組的第二腔體，所述第一腔體與所述第二腔體在所述裸芯片器件的延伸平面上并排布置，且所述第一腔體與所述第二腔體之間設置有將二者隔開的隔離墻，所述隔離墻上設置有饋電開口。

2.根據權利要求1所述的芯片器件腔體封裝結構，其特征在于，所述第一腔體為一個，所述第二腔體為一個或兩個；當所述第二腔體為兩個時，兩個所述第二腔體位于所述第一腔體的相對兩側。

3.根據權利要求1所述的芯片器件腔體封裝結構，其特征在于，所述第一腔體中正對著裸芯片器件的頂面的一面覆蓋有波段吸收層。

4.根據權利要求3所述的芯片器件腔體封裝結構，其特征在于，所述第一腔體中位于裸芯片器件側方的壁面覆蓋有波段吸收層。

5.根據權利要求1所述的芯片器件腔體封裝結構，其特征在于，所述第一腔體中正對著裸芯片器件的一面設置有朝向裸芯片器件伸出且沿所述第一腔體長度方向延伸的隔離壁。

6.根據權利要求5所述的芯片器件腔體封裝結構，其特征在于，所述隔離壁為兩個，兩個所述隔離壁相互平行且位于所述裸芯片器件的輸入端和輸出端連線的兩側。

7.根據權利要求6所述的芯片器件腔體封裝結構，其特征在于，兩個所述隔離壁的間距小于1.5mm，所述隔離壁的壁體厚度為0.2mm-0.5mm。

8.根據權利要求1所述的芯片器件腔體封裝結構，其特征在于，所述第一腔體的長度被設置為比所述裸芯片器件的長度長0-0.1mm，所述第一腔體的寬度被設置為比所述裸芯片器件的寬度長0.6mm以上。

9.根據權利要求1所述的芯片器件腔體封裝結構，其特征在于，所述封裝基體被配置為：在所述第一腔體和所述第二腔體的腔體內表面上設置有金屬鍍層。

10.根據權利要求9所述的芯片器件腔體封裝結構，其特征在于，所述第一腔體和/或所述第二腔體為鍍金鋁腔體或鍍金可伐合金腔體或鍍金鉬銅腔體。