[實(shí)用新型]近紅外激光飛行時(shí)間傳感器的QFN封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202220863247.6
• 申請(qǐng)日: 2022-04-14
• 公開（公告）號(hào): CN217385835U
• 公開（公告）日: 2022-09-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 丁帥斌
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 杭州宇稱電子技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): G01S17/08
• 分類號(hào): G01S17/08;G01S7/481
• 代理公司: 杭州匯和信專利代理有限公司 33475
• 代理人: 薛文玲

本實(shí)用新型提供一種近紅外激光飛行時(shí)間傳感器的QFN封裝結(jié)構(gòu)，包括框架和連接在框架上的封裝體，封裝體上設(shè)有芯片腔和與芯片腔連通的濾光片腔，濾光片腔位于芯片腔上遠(yuǎn)離框架的一側(cè)，芯片和濾光片分別安裝在芯片腔和濾光片腔中，芯片與濾光片之間設(shè)有第一隔離膜，第一隔離膜上設(shè)有開窗結(jié)構(gòu)，開窗結(jié)構(gòu)與芯片上的感光區(qū)域相對(duì)應(yīng)。本實(shí)用新型中，芯片與濾光片之間通過第一隔離膜實(shí)現(xiàn)隔離，這種隔離方式使得封裝體上無需設(shè)置隔離槽也能實(shí)現(xiàn)芯片與濾光片之間的隔離，從而有效簡化了封裝體的結(jié)構(gòu)，降低了封裝模具的設(shè)計(jì)難度以及制造成本，同時(shí)也降低了工藝要求，也有利于降低單個(gè)傳感器的生產(chǎn)成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及芯片封裝技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種近紅外激光飛行時(shí)間傳感器的QFN封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

直接飛行時(shí)間測距原理是通過計(jì)算近紅外激光的飛行時(shí)間來確定距離信息。飛行時(shí)間傳感器芯片的封裝機(jī)構(gòu)設(shè)計(jì)需要在其感光區(qū)域挖孔開窗，并且使用近紅外帶通濾光片將開窗區(qū)域封住，使其成為針對(duì)于紅外激光的飛行時(shí)間傳感器。SPAD傳感器作為光電探測傳感器，最重要的是在封裝形式上，應(yīng)盡量減少封裝對(duì)紅外光透過率的影響，保證SPAD傳感器的探測效率。

如附圖5所示，現(xiàn)有的QFN封裝結(jié)構(gòu)具體包括封裝體，封裝體上設(shè)有用于安裝芯片1的芯片腔和用于安裝濾光片2的濾光片腔，濾光片腔位于芯片腔的一側(cè)，在實(shí)際封裝時(shí)，要求芯片與濾光片之間需要有一定的間隔距離，間隔距離一般為100-200um之間，為了使芯片與濾光片之間達(dá)到間隔設(shè)置的目的，封裝體上的芯片腔和濾光片腔之間設(shè)有隔離槽13，隔離槽13的寬度小于芯片腔和濾光片腔的寬度，隔離槽與芯片腔之間、隔離槽與濾光片之間均形成臺(tái)階面，芯片和濾光片均與臺(tái)階面相抵靠，從而使芯片與濾光片形成間距，芯片與濾光片之間的間隔距離與間隔槽的厚度相等。

現(xiàn)有的這種封裝結(jié)構(gòu)存在的不足之處在于：由于需要在封裝體上的芯片腔和濾光片腔之間設(shè)計(jì)出隔離槽，且隔離槽的厚度需要控制在100-200um之間，這樣對(duì)工藝要求較高，大大增加了封裝模具的制造難度，封裝模具的制造成本也隨之增加，這些增加的開模成本會(huì)分?jǐn)偟缴a(chǎn)的每一個(gè)傳感器上，導(dǎo)致傳感器的單個(gè)成本上升。

發(fā)明內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的是解決現(xiàn)有的QFN封裝結(jié)構(gòu)中，由于需要在封裝體上的芯片腔和濾光片腔之間設(shè)計(jì)出隔離槽，且隔離槽的厚度需要控制在100-200um之間，對(duì)工藝要求較高，大大增加了封裝模具的制造難度，封裝模具的制造成本也隨之增加的問題，提供一種近紅外激光飛行時(shí)間傳感器的QFN封裝結(jié)構(gòu)，能夠有效解決上述問題。

本實(shí)用新型的目的是通過如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的：一種近紅外激光飛行時(shí)間傳感器的QFN封裝結(jié)構(gòu)，包括框架和連接在框架上的封裝體，封裝體上設(shè)有芯片腔和與芯片腔連通的濾光片腔，濾光片腔位于芯片腔上遠(yuǎn)離框架的一側(cè)，芯片和濾光片分別安裝在芯片腔和濾光片腔中，芯片與濾光片之間設(shè)有第一隔離膜，第一隔離膜上設(shè)有開窗結(jié)構(gòu)，開窗結(jié)構(gòu)與芯片上的感光區(qū)域相對(duì)應(yīng)。

作為優(yōu)選，所述第一隔離膜為DAF膜。

作為優(yōu)選，第一隔離膜的厚度為100-200um。

作為優(yōu)選，芯片與框架之間設(shè)有第二隔離膜。

作為優(yōu)選，所述第二隔離膜為DAF膜。

作為優(yōu)選，所述框架上設(shè)有填充孔，封裝體上設(shè)有填充部，填充部嵌入填充孔中。

作為優(yōu)選，所述框架上設(shè)有電極片，芯片通過引線與電極片相連。

作為優(yōu)選，所述引線為金線。

作為優(yōu)選，所述引線的直徑為0.8-1mil。