[實用新型]一種防反接電路、供電裝置和電子設備有效
| 申請號: | 202220849448.0 | 申請日: | 2022-04-12 |
| 公開(公告)號: | CN218549503U | 公開(公告)日: | 2023-02-28 |
| 發明(設計)人: | 郭振中;漆熙;龔志勇 | 申請(專利權)人: | 中移物聯網有限公司;中國移動通信集團有限公司 |
| 主分類號: | H02H11/00 | 分類號: | H02H11/00 |
| 代理公司: | 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270 | 代理人: | 陳宇;胡春光 |
| 地址: | 401336 重*** | 國省代碼: | 重慶;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 反接 電路 供電 裝置 電子設備 | ||
本申請實施例提供了一種防反接電路,包括:與直流供電源連接的輸入端口、與應用電路連接的輸出端口、第一至第四開關管;輸入端口包括第一端子和第二端子;輸出端口包括第三端子和第四端子;第一端子分別與第一開關管的漏極、第二開關管的柵極、第三開關管的漏極以及第四開關管的柵極相連接;第二端子分別與所述第一開關管的柵極、第二開關管的漏極、第三開關管的柵極以及第四開關管的漏極相連接;第三端子分別與第一開關管的源極、第二開關管的源極相連接;第四端子分別與第三開關管的源極、第四開關管的源極相連。
技術領域
本申請涉及極性自動識別和防反接技術,尤其涉及一種防反接電路、供電裝置和電子設備。
背景技術
相關防反接電路中,存在著二極管的壓降,不僅在低壓系統中會損失不可接受的壓降,且在后級負載較大的情況下,功耗損失也會較大、進而發熱量也會較大,不利于節能環保、系統散熱和系統壽命的延長。
實用新型內容
本申請實施例期望提供一種防反接電路。
第一方面,本申請實施例提供了一種防反接電路,包括:與直流供電源連接的輸入端口、與應用電路連接的輸出端口、第一至第四開關管;所述輸入端口包括第一端子和第二端子;所述輸出端口包括第三端子和第四端子;
所述第一端子分別與第一開關管的漏極、第二開關管的柵極、第三開關管的漏極以及第四開關管的柵極相連接;所述第二端子分別與所述第一開關管的柵極、所述第二開關管的漏極、所述第三開關管的柵極以及所述第四開關管的漏極相連接;所述第三端子分別與所述第一開關管的源極、所述第二開關管的源極相連接;所述第四端子分別與所述第三開關管的源極、所述第四開關管的源極相連;
所述第一開關管,用于在第一連接狀態的情況下,導通所述第一端子與所述第三端子之間的連接;所述第一連接狀態表示所述第一端子連接所述直流供電源的正極、所述第二端子連接所述直流供電源的負極的情況;
所述第四開關管,用于在所述第一連接狀態的情況下,導通所述第二端子與所述第四端子之間的連接;
所述第二開關管,用于在第二連接狀態的情況下,導通所述第二端子與所述第三端子二間的連接;所述第二連接狀態表示所述第一端子連接所述直流供電源的負極、所述第二端子連接所述直流供電源的正極的情況;
所述第三開關管,用于在所述第二連接狀態的情況下,導通所述第一端子與所述第四端子之間的連接。
在一些可能的實施方式中,所述第一開關管和所述第二開關管均為P型金屬氧化物半導體(Positive channel Metal Oxide Semiconductor,PMOS)管;所述第三開關管和所述第四開關管均為N型金屬氧化物半導體(Negative Channel Metal OxideSemiconductor,NMOS)管。
在一些可能的實施方式中,所述電路還包括:第一至第四柵極電阻;
所述第一端子分別與第二柵極電阻、第四柵極電阻的一端連接;所述第二柵極電阻的另一端連接所述第二開關管的柵極;所述第四柵極電阻的另一端連接所述第四開關管的柵極;
所述第二端子分別與第一柵極電阻、第三柵極電阻的一端連接;所述第一柵極電阻的另一端連接所述第一開關管的柵極;所述第三柵極電阻的另一端連接所述第三開關管的柵極。
在一些可能的實施方式中,所述電路還包括:跨接在所述第三端子和所述第四端子之間的穩壓電容;所述穩壓電容,用于穩定輸出給所述應用電路的直流電壓。基于所述實際耦合角度范圍確定所述待校準的光柵耦合器的實際耦合角度。
第二方面,本申請實施例還提供了一種供電裝置,包括如上述所述的防反接電路。
第三方面,本申請實施例還提供了一種電子設備,包括上述所述的供電裝置。
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