[實用新型]礦用隔爆型移動變電站中高壓真空斷路器的控制電路

有效

• 申請號: 202220848885.0
• 申請日: 2022-04-13
• 公開（公告）號: CN217182097U
• 公開（公告）日: 2022-08-12
• 發明（設計）人: 孫寶琪;王蔚;越文政;楊海軍
• 申請（專利權）人: 無錫軍工智能電氣股份有限公司
• 主分類號: H01H33/666
• 分類號: H01H33/666;H02J13/00
• 代理公司: 無錫市興為專利代理事務所(特殊普通合伙) 32517
• 代理人: 屠志力

1.一種礦用隔爆型移動變電站中高壓真空斷路器的控制電路，其特征在于，包括：三相真空斷路器QF1、變壓器TB1、電壓互感器TB2、電流互感器TA1、TA2、TA3、綜合保護控制器QXZB、開關電源ZD、變壓器T1-1、T1-2、繼電器K2、K3、遠近程轉換開關SW1、遠控合閘開關HA1、遠控分閘開關FA1、近控合閘開關HA2、近控分閘開關FA2、光耦U3、U4、直流電壓供電電路；

真空斷路器QF1的一側接三相進線火線A、B、C，另一側接三相出線火線a、b、c；變壓器TB1的初級兩端接三相進線火線A、B、C中的任意兩相，變壓器TB1的次級兩端分別接保險FU1一端和保險FU2一端；開關電源ZD的兩個輸入端分別接保險FU1另一端和保險FU2另一端；開關電源ZD的各輸出端分別接綜合保護控制器QXZB的多個電壓輸入端和接地端；電壓互感器TB2的初級兩端分別接保險FU1另一端和保險FU2另一端；電壓互感器TB2的次級接綜合保護控制器QXZB的電壓采樣輸入端；電流互感器TA1、TA2、TA3分別設置在三相出線火線a、b、c上，且分別連接綜合保護控制器QXZB的電流采樣輸入端；

綜合保護控制器QXZB包括兩個故障開關KG1和KG2，KG1常閉，KG2常開；在綜合保護控制器QXZB的第一輸出回路中，故障開關KG1、繼電器K2的常開觸點K2-1和真空斷路器QF1的合閘線圈HQ串聯；在綜合保護控制器QXZB的第二輸出回路中，故障開關KG2和繼電器K3-1的常開觸點K3-1并聯，然后與真空斷路器QF1的分閘線圈FQ串聯；

變壓器T1-1的初級兩端分別接保險FU1另一端和保險FU2另一端；變壓器T1-1的次級兩端接直流電壓供電電路，直流電壓供電電路輸出正電壓VCC1；

變壓器T1-2的次級一端接保險F1一端，保險F1另一端接二極管D5的陽極，二極管D5的陰極接電容C11的正極和電阻R1的一端，變壓器T1-2的次級另一端接二極管D7的陰極，二極管D7的陽極接電容C11的負極；電阻R1的另一端接電阻R4和R5的一端，以及電阻R6和R7的一端；電阻R4的另一端接光耦U3的輸入側陽極，光耦U3的輸入側陰極接電阻R5的另一端和遠近程轉換開關SW1中第一聯的動端，遠近程轉換開關SW1中第一聯的第一靜端接遠控合閘開關HA1的一端，遠控合閘開關HA1的另一端接二極管D10的陽極；遠近程轉換開關SW1中第一聯的第二靜端接近控合閘開關HA2的一端，近控合閘開關HA2的另一端接二極管D13的陽極；電阻R6的另一端接光耦U4的輸入側陽極，光耦U4的輸入側陰極接電阻R7的另一端和遠近程轉換開關SW1中第二聯的動端，遠近程轉換開關SW1中第二聯的第一靜端接遠控分閘開關FA1的一端，遠控分閘開關FA1的另一端接二極管D10的陽極；遠近程轉換開關SW1中第二聯的第二靜端接近控分閘開關FA2的一端，近控分閘開關FA2的另一端接二極管D13的陽極；二極管D10和D13的陰極接二極管D7的陽極和電容C11的負極；

光耦U2的輸出側集電極通過電阻R11接正電壓VCC1，光耦U2的輸出側發射極接電阻R12的一端、NPN三極管Q2的基極、電容C8的一端和電阻R13的一端；電阻R12的另一端接正電壓VCC1，電容C8另一端、電阻R13另一端和三極管Q2的發射極接地，三極管Q2的集電極接二極管D11陽極、繼電器K2線圈一端和電容C7一端，電容C7另一端接地；二極管D11的陰極和繼電器K2的另一端接正電壓VCC1；

光耦U3的輸出側集電極通過電阻R14接正電壓VCC1，光耦U3的輸出側發射極接電阻R15的一端、NPN三極管Q3的基極、電容C10的一端和電阻R16的一端；電阻R15的另一端接正電壓VCC1，電容C10另一端、電阻R16另一端和三極管Q3的發射極接地，三極管Q3的集電極接二極管D12陽極、繼電器K3線圈一端和電容C9一端，電容C9另一端接地；二極管D12的陰極和繼電器K3的另一端接正電壓。

2.如權利要求1所述的礦用隔爆型移動變電站中高壓真空斷路器的控制電路，其特征在于，

R12阻值80k歐姆以上，使得光耦U3不導通時，三極管Q2不導通。

3.如權利要求1所述的礦用隔爆型移動變電站中高壓真空斷路器的控制電路，其特征在于，

R15阻值80k歐姆以上，使得光耦U4不導通時，三極管Q3不導通。