[實用新型]一種降低觸控線電容的像素結構

有效

• 申請號: 202220812806.0
• 申請日: 2022-04-08
• 公開（公告）號: CN217114392U
• 公開（公告）日: 2022-08-02
• 發明（設計）人: 張桂瑜
• 申請（專利權）人: 華映科技（集團）股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;G06F3/044
• 代理公司: 福州君誠知識產權代理有限公司 35211
• 代理人: 戴雨君

1.一種降低觸控線電容的像素結構，其特征在于：其包括基板以及由下至上依次設置在基板上的第一金屬層、柵極絕緣層、半導體層、第二金屬層、第一絕緣層、第三金屬層、有機層、第二絕緣層、共通電極、第三絕緣層和像素電極；第一金屬層覆蓋基板上表面部分區域，第一金屬層作為薄膜晶體管的柵極，即掃描線；柵極絕緣層完全覆蓋第一金屬層以及基板上非第一金屬層覆蓋區域；半導體層設置在柵極絕緣層上對應第一金屬層位置，半導體層作為薄膜晶體管的溝道；半導體層上設有第二金屬層，第二金屬層在半導體層兩側上表面分別形成薄膜晶體管的源極和漏極，薄膜晶體管的源極即為數據線，第一絕緣層設置第二金屬層上并隔離第二金屬層；

第三金屬層設在第一絕緣層上表面，第三金屬層即為觸控線；共通電極設在第二絕緣層的上表面對應第三金屬層區域；

位于像素電極與第二金屬層之間的第三絕緣層、第二絕緣層、有機層和第一絕緣層的豎直方向對應設置像素過孔，像素電極布置在像素過孔內并借由像素過孔與第二金屬層中作為薄膜晶體管漏極的區域接觸。

2.根據權利要求1所述的一種降低觸控線電容的像素結構，其特征在于：薄膜晶體管的漏極部分覆蓋半導體層一側上表面區域，薄膜晶體管的漏極的另一部分覆蓋柵極絕緣層。

3.根據權利要求1所述的一種降低觸控線電容的像素結構，其特征在于：柵極絕緣層的材料為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化鋁中的一種。

4.根據權利要求1所述的一種降低觸控線電容的像素結構，其特征在于：第二絕緣層對應像素過孔的兩側部分覆蓋在第一絕緣層上。

5.一種降低觸控線電容的像素結構，其特征在于：其包括基板以及由下至上依次設置在基板上的第一金屬層、柵極絕緣層、半導體層、第二金屬層、第一絕緣層、第三金屬層、第二絕緣層、有機層、共通電極、第三絕緣層和像素電極；第一金屬層覆蓋基板上表面部分區域，第一金屬層作為薄膜晶體管的柵極，即掃描線；柵極絕緣層完全覆蓋第一金屬層以及基板上非第一金屬層覆蓋區域；半導體層設置在柵極絕緣層上對應第一金屬層位置，半導體層作為薄膜晶體管的溝道；半導體層上設有第二金屬層，第二金屬層在半導體層兩側上表面分別形成薄膜晶體管的源極和漏極，薄膜晶體管的源極即為數據線，第一絕緣層設置第二金屬層上并隔離第二金屬層；

第三金屬層設在第一絕緣層上表面，第三金屬層即為觸控線；共通電極設在有機層上表面對應第三金屬層區域；

位于像素電極與第二金屬層之間的第三絕緣層、第二絕緣層、有機層和第一絕緣層的豎直方向對應設置像素過孔，像素電極布置在像素過孔內并借由像素過孔與第二金屬層中作為薄膜晶體管漏極的區域接觸。

6.根據權利要求5所述的一種降低觸控線電容的像素結構，其特征在于：薄膜晶體管的漏極部分覆蓋半導體層一側上表面區域，薄膜晶體管的漏極的另一部分覆蓋柵極絕緣層。

7.根據權利要求5所述的一種降低觸控線電容的像素結構，其特征在于：柵極絕緣層的材料為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化鋁中的一種。

8.根據權利要求5所述的一種降低觸控線電容的像素結構，其特征在于：第三絕緣層對應像素過孔的兩側部分覆蓋在第二絕緣層上。