[實用新型]一種圖形化襯底及發光二極管有效
| 申請號： | 202220798681.0 | 申請日： | 2022-04-08 |
| 公開（公告）號： | CN217468469U | 公開（公告）日： | 2022-09-20 |
| 發明（設計）人： | 周宏敏;李政鴻;林兓兓 | 申請（專利權）人： | 安徽三安光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/22 | 分類號： | H01L33/22;H01L33/46 |
| 代理公司： | 北京漢之知識產權代理事務所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 高園園 |
| 地址： | 241000 安徽省*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 圖形 襯底 發光二極管 | ||
1.一種圖形化襯底，其特征在于，包括襯底以及位于所述襯底的表面的若干個間隔分布的圖形結構，所述圖形結構包括：
第一部分，自所述襯底的表面延伸形成高于所述襯底的表面的凸臺，且所述第一部分的表面形成有凹陷結構；
第二部分，位于所述第一部分上方，并且填充所述第一部分的所述凹陷結構。
2.根據權利要求1所述的圖形化襯底，其特征在于，所述凹陷結構包括凹陷邊沿以及凹陷中心，由所述凹陷邊沿至所述凹陷中心，所述第一部分在垂直所述襯底的表面的方向上的高度逐漸遞減。
3.根據權利要求1所述的圖形化襯底，其特征在于，所述凹陷結構為半球形凹陷或半橢圓形凹陷。
4.根據權利要求1所述的圖形化襯底，其特征在于，所述凹陷邊沿距離所述襯底的表面的垂直距離介于0.3μm～1.4μm。
5.根據權利要求1所述的圖形化襯底，其特征在于，所述凹陷中心距離所述襯底的表面的垂直距離介于0.01μm～0.3μm。
6.根據權利要求1所述的圖形化襯底，其特征在于，所述圖形結構距離所述襯底的表面的垂直距離介于1.4μm～2.4μm。
7.根據權利要求1所述的圖形化襯底，其特征在于，所述圖形結構還包括：
反射層，設置于所述第一部分和第二部分的之間。
8.根據權利要求1所述的圖形化襯底，其特征在于，所述圖形結構形成為直徑自所述圖形結構的底部向頂部逐漸遞減的錐臺結構或錐形結構。
9.根據權利要求1所述的圖形化襯底，其特征在于，所述圖形結構的第一部分的材料與所述襯底的材料相同。
10.根據權利要求9所述的圖形化襯底，其特征在于，所述襯底包括藍寶石襯底、SiC襯底、Si襯底、ZnO襯底、SiN襯底中的一種。
11.根據權利要求1所述的圖形化襯底，其特征在于，所述第二部分形成為包括SiO2、Si3N4、ZnO2、Si、SiC、GaAs、Ti3O5、TiO2中的一種或多種的材料層。
12.一種發光二極管，其特征在于，包括：
權利要求1～11中任一項所述的圖形化襯底；
外延層，形成于所述圖形化襯底的具有圖形結構的一側，且包括自所述圖形化襯底的表面依次堆疊的第一半導體層、有源層和第二半導體層。
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