[實用新型]一種圖形化襯底及發光二極管

有效

• 申請號: 202220798622.3
• 申請日: 2022-04-08
• 公開（公告）號: CN217468468U
• 公開（公告）日: 2022-09-20
• 發明（設計）人: 周宏敏;李政鴻;林兓兓
• 申請（專利權）人: 安徽三安光電有限公司
• 主分類號: H01L33/22
• 分類號: H01L33/22;H01L33/10
• 代理公司: 北京漢之知識產權代理事務所(普通合伙) 11479
• 代理人: 高園園

1.一種圖形化襯底，其特征在于，包括襯底以及位于所述襯底的表面的若干個間隔分布的圖形結構，所述圖形結構包括：

第一部分，自所述襯底的表面延伸形成高于所述襯底的表面的凸臺，且所述第一部分遠離所述襯底的表面包括中心區以及圍繞所述中心區的邊緣區；

第二部分，位于所述第一部分的中心區，沿遠離所述襯底的表面的方向延伸；

第三部分，位于所述第一部分的邊緣區，自所述邊緣區沿遠離所述第一部分的方向圍繞所述第二部分延伸，所述第三部分的頂端齊平于或者低于所述第二部分的頂端。

2.根據權利要求1所述的圖形化襯底，其特征在于，所述中心區占所述第一部分的表面的10％～50％。

3.根據權利要求1所述的圖形化襯底，其特征在于，所述第一部分與所述襯底的形成材料相同。

4.根據權利要求1或3所述的圖形化襯底，其特征在于，所述第二部分與所述第一部分的形成材料相同，且所述第二部分與所述第一部分為一體結構。

5.根據權利要求1所述的圖形化襯底，其特征在于，所述第二部分與所述第一部分的形成材料不同。

6.根據權利要求1所述的圖形化襯底，其特征在于，所述第二部分與所述第三部分的形成材料不同。

7.根據權利要求1所述的圖形化襯底，其特征在于，所述第一部分的邊緣區形成為粗化結構。

8.根據權利要求7所述的圖形化襯底，其特征在于，所述粗化結構形成為波浪狀或者圓弧狀。

9.根據權利要求1所述的圖形化襯底，其特征在于，所述圖形結構形成為直徑自所述圖形結構的底部向頂部逐漸遞減的錐臺結構或者錐形結構。

10.根據權利要求1所述的圖形化襯底，其特征在于，所述襯底包括藍寶石襯底、SiC襯底、Si襯底、ZnO襯底、SiN襯底中的一種。

11.根據權利要求1所述的圖形化襯底，其特征在于，所述第三部分形成為包括SiO₂、Si₃N₄、ZnO₂、Si、SiC、GaAs、Ti₃O₅、TiO₂中的一種或多種的材料層。

12.一種發光二極管，其特征在于，包括：

如權利要求1～11任一項所述的圖形化襯底；

外延層，形成于所述圖形化襯底的具有圖形結構的一側，且包括自所述圖形化襯底的表面依次堆疊的第一半導體層、有源層和第二半導體層。

13.根據權利要求12所述的發光二極管，其特征在于，所述第二部分的晶格常數與所述外延層的晶格常數之差小于所述第三部分的晶格常數與所述外延層晶格常數之差。