[實用新型]LED電子阻擋層、LED外延片及半導體器件有效
| 申請號： | 202220718660.3 | 申請日： | 2022-03-30 |
| 公開（公告）號： | CN217544638U | 公開（公告）日： | 2022-10-04 |
| 發明（設計）人： | 韓娜;王國斌 | 申請（專利權）人： | 江蘇第三代半導體研究院有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/14 | 分類號： | H01L33/14;H01L33/22 |
| 代理公司： | 蘇州市中南偉業知識產權代理事務所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 王廣浩;唐靈 |
| 地址： | 215101 江蘇省蘇州市工業園區*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | led 電子 阻擋 外延 半導體器件 | ||
1.LED電子阻擋層，位于量子阱有源層和接觸層之間，其特征在于，包括BAlN阻擋層，所述BAlN阻擋層包括：
BAlN粗化層；所述BAlN粗化層至少包括第一粗化結構；
BAlN非粗化層，所述BAlN粗化層位于量子阱有源層和所述BAlN非粗化層之間；所述BAlN非粗化層的厚度大于BAlN粗化層。
2.如權利要求1所述的LED電子阻擋層，其特征在于，所述BAlN粗化層的厚度小于等于所述BAlN阻擋層的厚度的25％。
3.如權利要求2所述的LED電子阻擋層，其特征在于，所述BAlN粗化層的厚度為2nm-20nm。
4.如權利要求3所述的LED電子阻擋層，其特征在于，所述BAlN非粗化層的厚度為6nm-100nm。
5.如權利要求1所述的LED電子阻擋層，其特征在于，所述BAlN阻擋層包括無摻雜的BAlN。
6.如權利要求1所述的LED電子阻擋層，其特征在于，所述第一粗化結構包括若干第一凸起和/或第一凹陷，所述第一凸起的高度為1nm-10nm。
7.如權利要求6所述的LED電子阻擋層，其特征在于，BAlN粗化層還包括第二粗化結構，所述第二粗化結構包括若干第二凸起和/或第二凹陷，所述第二凸起的高度低于所述第一凸起的高度。
8.LED外延片，其特征在于，包括如權利要求1-7任一所述的LED電子阻擋層。
9.半導體器件，其特征在于，包括如權利要求8所述的LED外延片。
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